武汉理工《模拟电子技术基础》各章知识点及考试重点
半导体基础知识及二极管应掌握的知识点： 1. 先修知识之放大电路的四种基本模型及用法 2. 先修知识之电阻串、并、混联的等效变换 3. 先修知识之kirchhoff's law
4. 先修知识之戴维南、诺顿等效变换及线性叠加原理 5. 本征半导体的掺杂特性与本征激发特性以及两种载流子 6. 掌握P型与N型半导体材料的形成机理 7. 理解PN结的形成机理
8. 掌握PN结的单向导电性及伏安特性曲线 9. 掌握二极管的伏安特性，了解其重要参数
10. 重点掌握半导体二极管的简化模型分析法之理想、恒压降、
折线模型及适用范围、使用方法
11. **理解半导体二极管的简化模型分析法之小信号模型及适
用范围、使用方法
12. 重点掌握特殊二极管之稳压二极管特性及应用电路的分析
方法
13. 了解其它特殊二极管特性及应用
14. 完成并掌握习题2中客观检测题所涉及的基本概念
双极型三极管及其放大电路应掌握的知识点： 1. 掌握三极管（BJT）的结构与符号
2. 理解BJT内部载流子的传输，掌握电流分配关系
3. 了解放大电路中BJT具有放大作用的内部与外部条件，掌握
BJT具有放大作用的外部偏置条件
4. 掌握BJT的伏安特性曲线、主要参数及其三个工作区域和安
全工作区
5. 掌握放大电路的基本组成、三种组态和性能指标 6. 掌握用估算法和图解分析法对放大电路做静态分析的基本
思路，能算出典型电路静态工作点具体数值
7. 掌握利用小信号模型对电路做动态分析的基本思路，能根据
要求写出增益、输入、输出电阻的表达式
8. 掌握静态工作点、直流负载线、最大动态范围、非线性失真、
交流负载线、微变电阻等概念
9. 理解基极分压式射极偏置电路的静态工作点稳定过程 10. 了解BJT混合参数小信号模型的合理布局，掌握放大电路直
流通路与交流通路的画法
11. **通过自学与讨论了解多级放大电路耦合方式，掌握其静态与动态分析思路
12. 完成并掌握习题3中客观检测题所涉及的基本概念
场效应管及其放大电路应掌握的知识点：
1. 了解双极型三极管BJT与单极型三极管FET的共性与个性 2. 掌握根据特性曲线判断场效应管类型的方法
3. 掌握JFET的结构与工作原理（外加栅源极电压对沟道导电
性能的控制，外加漏源极电压对沟道导电性的影响） 4. 掌握JFET特性曲线(包括输出特性曲线、转移特性曲线、夹
断电压以及预夹断点和三个工作区域的划分)及饱和区内漏极电流与栅源极电压的近似关系 5. 了解JFET主要参数
6. 掌握MOSFET的结构工作原理（外加栅源极电压对沟道导电
性能的控制，外加漏源极电压对沟道导电性的影响） 7. 掌握MOSFET特性曲线(包括输出特性曲线、转移特性曲线、
夹断或开启电压以及预夹断点和三个工作区域的划分)及饱和区内漏极电流与栅源极电压的近似关系 8. 了解MOSFET主要参数
9. 了解场效应管放大电路的常用偏置方式及适用范围，掌握
FET放大电路的动、静态分析方法，掌握FET的低频小信号模型，正确认识耗尽型FET自偏压的特性 10. 完成并掌握习题4中客观检测题所涉及的基本概念
武汉理工《模拟电子技术基础》各章知识点及考试重点剖析
