表面热处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响
李卫青;顾广瑞;李英爱;何志;冯伟;刘丽华;赵春红;赵永年
【期刊名称】《功能材料》 【年(卷),期】2004(035)0z1
【摘要】用RF磁控溅射的方法在最佳沉积条件下在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后对薄膜在真空度低于5×10-4Pa、温度分别为800℃和1000℃条件下进行了表面热处理,分别用红外光谱、原子力显微镜以及不同退火温度的场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明表面热处理对BN薄膜的表面形貌没有明显影响,样品场发射特性的变化可能与表面负电子亲和势有关,未进行热处理的样品阈值电场较低,可能归因于表面负电子亲和势效应,阈值电场为8V/μm,发射电流为80μA,热处理温度为800℃时,负电子亲和势仍然存在,直到热处理温度达到1000℃时,表面负电子亲和势才消失. 【总页数】3页(2183-2185)
【关键词】氮化硼薄膜;表面热处理;场发射;发射电流;阈值电场 【作者】李卫青;顾广瑞;李英爱;何志;冯伟;刘丽华;赵春红;赵永年
【作者单位】吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023;吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023;吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023;吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023;吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023;吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023;吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023;吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023 【正文语种】中文
【中图分类】O484 【相关文献】
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表面热处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响
