PSEN（29脚）：此引脚的输出是外部程序存储器的读选通信号。在从外部程序存储器取指令（或常数）期间，每个机器周期它二次有效。但在此期间，每当访问外部数据存储器时，这二次有效信号将不出现。它同样可以驱动（吸收或输出电流）8个LS型的TTL输入电路。
EA/VPP（31脚）：当这引脚保持高电平时，访问内部程序存储器，但在PC（程序计数器）值超过0FFFH（对8051/8751）或1FFFH（对8052）时将自动转向执行外部程序存储器内的程序。当这引脚保持低电平时，则只访问外部程序存储器。
对于8031来说，无内部程序存储器，端口必须保持低电平，即接地，才能只选择外部程序存储器。对于EPROM型的单片机（如8751），在EPROM编程期间，此引脚也用于施加21V的编程电源（VPP）。
4. 输入/输出（I/O）引脚P0、P1、P2、P3（共32根）
P0口（39脚～32脚）：是双向8位三态I/O口，在外接存储器时，与地址总线的低8位及数据总线复用，能以吸收电流的方式驱动8个LS型的TTL输入负载。
P1口（1脚～8脚）：是准双向8位I/O口。由于这种接口输出没有高阻状态，输入也不能锁存，故不是真正的双向I/O口。P1口可以驱动（吸收或输出电流）4个LS型的TTL负载。对于8052、8032，P1.0引脚的第二功能为T2定时器/计数器的外部输入，P1.1引脚的第二功能为T2的外部控制端。对EPROM编程和程序验证期间，它接收低8位地址。
P2口（21脚～28脚）：是准双向8位I/O口。在访问外部程序存储器时，它可以作为扩展电路高8位地址总线送出高8位地址。在对EPROM编程和程序验证期间，它接收高8位地址。P2口可以驱动（吸收或输出电流）4个LS型的TTL输入负载。
P3口（10脚～17脚）：是准双向8位I/O口，在MCS-51中，这8个引脚还用于专门功能，是复用双功能口。P3口可以驱动（吸收或输出电流）4个LS型的TTL输入负载。作为第一功能使用时，为普通I/O口，功能和操作方法与P1口相同。作为第二功能使用时，各引脚的定义见表2.2。值得强调的是，P3口的每一条引脚均可独立定义为第一功能的输入输出或第二功能。
表6.1 P3口线的第二功能定义
口线 引脚 功能 P3.0 10 RxD(串行输入口) P3.1 11 TxD(串行输出口) P3.2 12 INT0(外部中断0) P3.3 13 INT1(外部中断1) P3.4 14 T0(定时器0外部输入) P3.5 15 T1(定时器1外部输入) WR(外部数据存储器写脉冲) RD(外部数据存储器读脉冲) P3.6 16 P3.7
17 第七讲
一、授课内容：
MCS―51系列单片机 二、授课类型：讲授 三、授课时数：2学时 四、教学目标：
掌握MCS―51系列单片机的内部结构 六、教学重、难点：
重点/难点：80C51单片机的内部结构。
七、教学设想：
借助产品、作品演示,一方面可以使课堂生动,另一方面可以腾出大量时间加强对重难点知识的讲解,增强学生对知识的理解,同时提高他们对本学科的兴趣. 八、教学过程：（板书）
一、MCS-51单片机的基本结构（如下图所示）
二、 MCS-51单片机硬件结构特点
1．内部程序存储器（ROM）和内部数据存储器（RAM）容量（如下图所示）
2．输入/输出（I/O）端口
3．外部程序存储器和外部数据存储器寻址空间 4．中断与堆栈
5．定时/计数器与寄存器区 6．指令系统
三、MCS-51单片机内部结构 1．运算器
运算器由8位算术逻辑运算单元ALU（Arithmetic Logic Unit）、8位累加器ACC（Accumulator）、8位寄存器B、程序状态字寄存器PSW（Program Status Word）、8位暂存寄存器TMP1和TMP2等组成。 2．控制器
主要由程序计数器PC、指令寄存器IR、指令译码器ID、堆栈指针SP、数据指针DPTR、时钟发生器及定时控制逻辑等组成。 四、MCS-51单片机的存储器配置 （一）内部RAM低128单元
8051低128个单元是真正的内部数据RAM区，是一个多功能复用性数据存储器，其按用途可分为三个区域。如图2—2所示：
1． 工作寄存器区（00H~1FH）
也称为通用寄存器，该区域共有4组寄存器，每组由8个寄存单元组成，每
个单元8 位，各组均以R0~R7作寄存器编号，共32个单元，单元的00H~1FH。
在任一时刻，CPU只能使用其中一组通用寄存器，称为当前通用寄存器组，具体可由程序状态寄存器PSW中RS1，RS0位的状态组合来确定。通用寄存器为CPU提供了就近存取数据的便利，提高了工作速度，也为编程提供了方便。 2． 位寻址区（20H~2FH）
内部RAM的20H~2FH，共16个单元，计16×8=128位，位地址为00H~7FH。位寻址区既可作为一般的RAM区进行字节操作，也可对单元的每一位进行位操作，因此称为位寻址区，是存储空间的一部分。表7—1列出了位寻址区的位地址：
表7—1 位寻址区的位地址
单元地址 2FH 2EH 2DH 2CH 2BH 2AH 29H 28H 27H 26H 25H 24H 23H 22H 21H 20H
MSB 7FH 77H 6FH 67H 5FH 57H 4FH 47H 3FH 37H 2FH 27H 1FH 17H 0FH 07H
位 7EH 76H 6EH 66H 5EH 56H 4EH 46H 3EH 36H 2EH 26H 1EH 16H 0EH 06H
7DH 75H 6DH 65H 5DH 55H 4DH 45H 3DH 35H 2DH 25H 1DH 15H 0DH 05H
地 7CH 74H 6CH 64H 5CH 54H 4CH 44H 3CH 34H 2CH 24H 1CH 14H 0CH 04H
7BH 73H 6BH 63H 5BH 53H 4BH 43H 3BH 33H 2BH 23H 1BH 13H 0BH 03H
址 7AH 72H 6AH 62H 5AH 52H 4AH 42H 3AH 32H 2AH 22H 1AH 12H 0AH 02H
79H 71H 69H 61H 59H 51H 49H 41H 39H 31H 29H 21H 19H 11H 09H 01H
LSB 78H 70H 68H 60H 58H 50H 48H 40H 38H 30H 28H 20H 18H 10H 08H 00H
其中：MSB——最高有效位。
LSB——最低有效位。 3． 用户RAM区（30H~7FH）
所剩80个单元即为用户RAM区，单元地址为30H~7FH，在一般应用中把堆栈设置在该区域中。
对内部RAM低128单元的使用作几点说明：
（1）8051的内部RAM 00H～7FH单元可采用直接寻址或间接寻址方式实现数据
单片机原理及应用教学教案
