GaN共振隧穿二极管及THz振荡器仿真
何寒冰;杨林安;郝跃;武小虎;梅楠
【期刊名称】《新型工业化》 【年(卷),期】2011(000)010
【摘要】本文利用Silvaco软件对GaN共振隧穿二极管（GaN RTD）进行仿真，重点考虑了界面陷阱密度对GaN RTD量子阱性能及负阻特性的影响。结果显示，当密度大于5×1010 cm-2时，器件的负阻特性几乎消失；当密度在5×106 cm-2至5×109 cm-2时，器件负阻特性会随着测量次数的增加而退化。同时结合Hspice，对由GaN RTD构成的THz振荡器进行仿真，首次得到了陷阱密度对振荡器输出功率和RF转化效率交流特性影响的定量结果。%In this paper, using the Silvaco simulator, GaN RTD is studied. Considering the influence of the interface traps, negative differential resistance (NDR) of RTD decreases with consecutive scans when the trap density between 5×106 cm-2and 5×109 cm-2, over 5E10 cm-2, the NDR almost disappears. With the simulation for GaN RTD Terahertz Oscillators, the quantitative results of the electron trapping effect on the rf power and efficiency are firstly got . 【总页数】5页(74-78)
【关键词】GaN共振隧穿二极管;AlGaN/GaN异质结;界面陷阱 【作者】何寒冰;杨林安;郝跃;武小虎;梅楠
【作者单位】西安电子科技大学微电子学院，西安 710071;西安电子科技大学微电子学院，西安 710071;西安电子科技大学微电子学院，西安 710071;西安
电子科技大学微电子学院，西安 710071;西安电子科技大学微电子学院，西安 710071
【正文语种】中文 【中图分类】 【相关文献】
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GaN共振隧穿二极管及THz振荡器仿真
