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模拟电子技术基础第四版课后答案童诗白

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模拟电子技术基础

第四版

清华大学电子学教研组 编 童诗白 华成英 主编

自测题与习题解答

山东大学物理与微电子学院

目录

第1章 常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3 第2章 基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章 多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章 集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章 放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章 放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章 信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章 波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章 功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章 直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126

第1章 常用半导体器件

自测题

二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄 B.基本不变 C.变宽

(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿

(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏

(4) UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管

四、已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA。求图Tl.4 所示电路中UO1和

UO2各为多少伏。

(a) (b)

图T1.4

解:左图中稳压管工作在击穿状态,故UO1=6V。

右图中稳压管没有击穿,故UO2=5V。

习题

1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B.四价 C.三价

(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小

(3)工作在放大区的某三极管,如果当IB 从12 uA 增大到22 uA 时,IC 从lmA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。

A.83 B.91 C.100

(4)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将( A ) 。

A.增大; B.不变; C.减小

1.3电路如图P1.3所示,已知ui?5sin?t(V),二极管导通电压UD=0.7V。试画出ui与

uo的波形图,并标出幅值。

图P1.3 解图P1.3

解:波形如解图Pl.3所示。

1.6 已知图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压UZ?6V,最小稳定电流

IZmin?5mA,最大稳定电流IZmax?25mA。

(1)分别计算UI为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压UO的值; (2)若UI?35V时负载开路,则会出现什么现象? 为什么?

解:(1)只有当加在稳压管两端的

电压大于其稳压值时,输出电压才为6V。

RLUI?3.3V; R?RL∴UI?10V时,UO?图Pl.6

UI?15V时,UO?RLUI?5V; R?RLRLUI?11.7V?UZ,∴UO?UZ?6V。 R?RLUI?35V时,UO?0.1

UI?UZ?29mA?IZmax?25mA,故稳压管将被烧毁。 R(2)当负载开路时,IZ?第2章 基本放大电路

自测题

一.在括号内用“√”和“×”表明下列说法是否正确。

模拟电子技术基础第四版课后答案童诗白

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31第4章集成运算放大电路
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