微电子器件与电路实验(电子)实验报告 姓名 实验操作 魏晓阳 学号 实验报告 1815211034 合作人 教师签名 实验名称 实验设备 实验目的 实验六 分立MOSFET级联放大器分析与设计 (1)计算机 (2)Multisim 12 1.掌握根据设计指标和半导体器件参数设计分立元件MOSFET放大器的方法 2.掌握放大器电学性能指标分析与验证方法 3.掌握放大器输入/输出阻抗测试、傅里叶分析、参数扫描分析 实 验 要 求 1. 实验前按要求阅读器件说明文档，阅读实验操作文档，熟悉实验过程及操作步骤 2. 实验过程中按实验报告要求操作、仿真、记录数据(波形) 3. 实验结果经指导老师检查、验收，经允许后方可关机，离开实验室 3、实验后按要求处理数据和波形，回答问题。实验报告打印后，于下次实验时间缴交。， 实 验 内 容 实验6.1 电路设计过程 根据设计指标和电路拓扑结构，完成电路的分析与设计。 实验6.2 静态工作点分析 实验6.3 最坏情况分析 实验6.4 交流仿真分析 实验6.5 蒙托卡罗分析 实验6.6 最大对称摆幅测试 实验6.7 傅里叶分析 检查输出电压饱和效应对信号失真的影响 实验6.8 电路静态工作点随温度漂移特性 验证温度变化时，电路静态工作点的漂移特性 实验6.9 增益随负载电阻影响 检查负载对放大器增益的影响 实验6.10 电路灵敏度分析 检查影响电路电学性能指标的主要参数 华侨大学信息科学与工程学院电子工程系
微电子器件与电路实验(电子)实验报告2020Spring 华侨大学电子工程系
实验6.1分立元件共源MOSFET放大器分析与设计 实验目的：掌握分立元件共源MOSFET放大器的设计方法 实验器件：2N7000或2N7002或2N7000G或2N7002_SILI小信号MOSFET 表6-1 选择设计电路结构、器件型号及参数 电路结构 器件型号 电路总增益 □A结构 ?B结构 共源放大器电流 □1mA ?2mA □4mA □2N7000 □2N7002 ?2N7000G □2N7002_SILI □5 ?10 □15 □20 □ R3||R4=3RD ? R3||R4=4RD □ R3||R4=9RD 设计源极跟随器电路的静态工作点及设计电路的增益 MOSFET电流 MOSFET的VGSQ MOSFET的VGSQ 2mA 3.5384 V 3.54V 源极跟随器增益 VG电压 MOSFET的VDSQ 1V/V 6.87V 8.67V 设计源极跟随器电路无源器件值(器件标号参考实验指导文档图6.1和6.2) R3最终 RS3 28.9kΩ 200Ω R4最终 RL 106.33kΩ ?200Ω □400Ω 设计共源放大器电路的静态工作点及设计电路的增益 偏置电路电流 Vo1静态工作点 MOSFET的VGSQ 100 uA V 2.446 V MOSFET电路电流 共源放大器增益 MOSFET的VDSQ 2 mA 10 V/V 9.782 V 设计共源放大器电路无源器件值(器件标号参考实验指导文档图6.1和6.2) R1 RS1 RD 183.9k 0.446k 5.681 R2 RS2 56.1k 1.136 级联放大器总增益 源极跟随器电路详细设计计算过程(将计算结果过程填入下面边框中)，设计结果填入表6-1： 根据最大对称摆幅和增益指标列举方程 根据静态工作点计算偏置电阻R3和R4值(临时值) 根据Cout引起5Hz下限截止频率计算耦合电容Cout 2019-2020学年第二学期 实验六 MOSFET级联放大器分析与设计 课程编号5152984 LAB6 Page：2 / 12
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共源放大器电路详细设计计算过程(考虑R3||R4的负载)，设计结果填入表6-1： 根据给定的电路的增益指标，列出和IDQ，RS1，RD有关的方程① 根据CC1和CS分别引起5Hz下限截止频率计算电容CC1和CS 级联放大器电路详细设计计算过程(将计算过程填入下面边框中) ，设计结果填入表6-1： (使用Multisim画出的电路原理图，包括电压源和负载，必须能看清楚电阻阻值和器件型号，且必须与前面计算结果一致 根据RD和R3||R4的关系，确定R3||R4的值 根据CC2引起5Hz下限截止频率计算耦合电容CC2 2019-2020学年第二学期 实验六 MOSFET级联放大器分析与设计 课程编号5152984 LAB6 Page：3 / 12
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