2 晶体管正常工作的必要条件——
● 发射结正向偏置（输入阻抗Ri小、有注入）， 集电结反向偏置（输出阻抗Ro大、能收集电子）。 ● 基区宽度很小。
● 发射区浓度比基区浓度高得多。 3 晶体管内部载流子的输运过程
以NPN晶体管，共发射极电路工作为例，加以说明。（见 图14）
● 发射区：在正向偏压下，大量的电子向基区注入（Ine）——进入基区后，小部分与基区空穴复合（Ir）——大部分扩散运动到达集电结，在反向电压的吸引下，被收集到集电区（Inc）。
● 基区：在正向偏压下，一部分空穴向发射区注入(Ipe)，一部分空穴与注入基区的电子复合（Ir），另外，有少量的少数载流子——电子在反向偏压作用下漂移运动进入集电区（-ICBO）。
● 集电区：在反向偏压作用下，把到达集电结的电子收集到集电区（Inc）；同时，有少量的少数载流子——空穴漂移运动进入基区（ICBO）。
这样，形成了：
IE = Ine + Ipe
IB = Ipe + Ir -ICBO IE = IB+ IC IC = Inc + ICBO =（Ine – Ir）+ ICBO
请注意：
1）由于晶体管的发射区浓度比基区浓度高得多，因此，Ine 》Ipe。 2）由于晶体管的基区宽度很小，远小于电子的扩散长度，因此，复合
电流很小，Ir《 Inc。
3）晶体管集电极的反向漏电流ICBO是很小的。
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4）综合以上三点，就可以得到： ● IC＜IE，但非常接近于IE
● IB《 IC
● 当输入回路产生较小的电流变化△IB时，就会引起输出回路
较大的电流变化△IC 。
图14 晶体管内部载流子的输运过程
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4 晶体管的放大作用
1）共发射极电路——有电流放大、电压放大和功率放大作用。
hFE=IC/IB , GV=RL/Ri, GP=RL/Ri ( 三个均为远大于1的数 )。 2）共基极电路——有电压放大和功率放大作用，没有电流放大作用。
α= IC / IE＜1， 但仍有GV=RL/Ri , GP=RL/Ri 。 3）NPN晶体管共发射极电路放大原理图（图15） 输出输入 图15 NPN晶体管共发射极电路放大原理图 4）共发射极电流放大系数
交流放大系数 β= △IC / △IB 直流放大系数 hFE = IC / IB 5) 如何提高晶体管的电流放大系数
要提高电流放大系数，必须：
● 提高发射效率——即要提高注入到基区的电子电流（Ine）在总的发射
极电流（IE）中的比例（也就是要减少从基区向发射区注入的空穴电流Ipe）——必须提高发射区杂质浓度与基区杂质浓度之比。（工艺中要调节好基区和发射区的浓度）
● 减少电子在基区的复合
——必须减小基区宽度W（控制好两个结深Xjc、Xje ）。
——必须提高少数载流子的寿命（材料完整性要好，工艺中要尽量减少产
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生二次缺陷和金属离子沾污。） 1-4-3 晶体管的特性曲线
1 共发射极输出特性曲线
在特性曲线中可以看出：
1） 2） 3）
当IB=0时， IC≠0（= ICEO） 当IB=IB1时，IC=βIB1 + ICEO
对于某一IB=IBi ，当VCE=0时，IC=0。当VCE电压开始增加时，集电极电流急剧增大，当VCE电压增大到一定数值后，IC开始转向稳定。这一段IC增大的快慢程度，反映了晶体管饱和压降的大小。
1 输出特性曲线的三个工作区（见图17）
可划分为三个工作区： 1）放大区 2）饱和区 3）截止区
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1
图17 共发射极输出特性的三个工作区
3 输出特性曲线的几种异常情况
1）大电流特性差 （图18a） 2） 小电流特性压缩（图18b） 3）饱和压降大 （图18c） 4）特性曲线倾斜（图18d） 5）两段饱和特性（图18e） 6）C-E低击穿 （图18f） （图18a） （图18b） （图18c） （图18d）
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