一种临时键合结构及临时键合方法

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201910976433.3 （22）申请日 2019.10.15

（71）申请人 上海集成电路研发中心有限公司

地址 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号

（10）申请公布号 CN110660722A

（43）申请公布日 2020.01.07

（72）发明人 葛星晨

（74）专利代理机构 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人 吴世华

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种临时键合结构及临时键合方法

（57）摘要

本发明公开了一种临时键合结构，包括：

第一载体片及紧密结合于所述第一载体片正面上的第一键合层，所述第一载体片的表面上分布有多个穿孔；其中，所述第一载体片的材质与所述第一键合层的材质不同，且其之间具有湿法药液清洗时的高选择比。本发明还公开了一种采用该临时键合结构的临时键合方法，能够提高三维堆叠中硅片临时键合后的耐高温能力，使后续工艺不受温度条件的限制，从而提高三维堆叠工艺水

平和良率。

法律状态

法律状态公告日

2020-01-07 2020-01-07 2020-02-04

公开 公开

实质审查的生效

法律状态信息

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权利要求说明书

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