热蒸发法制备Sb2Se3薄膜及后退火温度对其性能的影响

热蒸发法制备Sb2Se3薄膜及后退火温度对其性能的影响

姚文健

【期刊名称】《微计算机信息》 【年(卷),期】2018(000)005

【摘要】采用真空热蒸发法结合退火工艺制备得到质量较好的多晶Sb2Se3薄膜,薄膜致密、结晶性良好,且表现出一定的择优生长现象,其禁带宽度大致在1.4 eV左右.探索了不同退火温度对Sb2Se3薄膜物相结构、形貌与光电性能的影响,在此基础上制备了FTO/CdS/Sb2Se3/AL结构的电池,效率为0.047％. 【总页数】2页(72-73)

【关键词】电阻热蒸发法;Sb2Se3;薄膜太阳能电池;半导体 【作者】姚文健

【作者单位】福州大学,福建 福州 350116 【正文语种】中文 【中图分类】TB383 【相关文献】

1.热蒸发法制备Sb2Se3薄膜及后退火温度对其性能的影响 [J], 姚文健[1] 2.热退火气氛对溶液法制备的Sb2S3薄膜组成、结构及光伏性能的影响 [J], QI Juanjuan; DONG Chao; Getinet Y. Ashebir; CHEN Junwei; WAN Zhiyang; CHEN Wangwei; ZHAO Qiuyuan; WANG Mingtai

3.H2Se气态硒化后退火温度对CIGS薄膜中Ga再分布的影响 [J], 黄勇亮; 孟凡英; 沈文忠; 吴敏; 刘正新

4.真空热蒸发法制备SnS/In2S3异质结及退火温度对其整流特性影响 [J], 李弘