[考研类试卷]计算机专业基础综合(存储器系统的层次结构)模拟试卷3.doc

[考研类试卷]计算机专业基础综合（存储器系统的层次结构）模拟试卷

3

一、单项选择题

1-40小题，每小题2分，共80分。下列每题给出的四个选项中，只有一个选项是最符合题目要求的。

1 下列关于存储系统层次结构的说法中，不正确的是( )。

（A）存储层次结构中，离CPU越近的存储器速度越快，价格越贵，容量越小

（B）Cache-主存层次设置的目的是为了提高主存的等效访问速度

（C）主存一辅存层次设置的目的是为了提高主存的等效存储容量

（D）存储系统层次结构对程序员都是透明的

2 存储器的存取周期与存储器的存取时间的关系是( )。

（A）存取周期大于存取时间

（B）存取周期等于存取时间

（C）存取周期小于存取时间

（D）存取周期与存取时间关系不确定

3 以下几种存储器中，存取速度最快的是( )。

（A）Cache

（B）寄存器

（C）内存

（D）光盘

答案见麦多课文库

4 属于易失性存储器的是( )。

（A）E2PROM

（B）Cache

（C）Flash Memory

（D）CD-ROM

5 虚拟存储器理论上的最大容量取决于( )。

（A）辅存容量

（B）主存容量

（C）虚地址长度

（D）实地址长度

6 下列存储保护方案中，不是针对“地址越界”访存违例的是( )。

（A）界限保护

（B）键保护

（C）环保护

（D）设置访问权限位

7 下列关于DRAM刷新的说法中，错误的是( )。

（A）刷新是指对DRAM中的存储电容重新充电

（B）刷新是通过对存储单元进行“读但不输出数据”的操作来实现

答案见麦多课文库

（C）由于DRAM。内部设有专门的刷新电路，所以访存期间允许进行刷新-

（D）刷新期间不允许访存，这段时间称为“访存死区(也叫死时间)”

8 下列关于ROM和RAM的叙述中，正确的是( )。

（A）CD-ROM实质上是ROM

（B）Flash是对RAM的改进，可以实现随机存取

（C）RAM的读出方式是破坏性读出，因此读后需要再生

（D）只有DRAM读后需要刷新

9 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： I．DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ．DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ．DRAM芯片的速度比SRAM快

Ⅳ．DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新 通常情况下，错误的是( )。

（A）I和Ⅱ

（B）Ⅱ和Ⅲ

（C）Ⅲ和Ⅳ

（D）I和Ⅳ

10 下列关于DRAM刷新的说法中，错误的是( )。

（A）刷新操作按行进行，一次刷新一行中的全部存储单元

（B）刷新所需的行地址由DRAM内部的刷新计数器(行地址生成器)给出

（C）集中刷新的“死时间”要大于异步刷新的“死时间”

答案见麦多课文库