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结论：
势垒高度 ? PN结宽度（耗尽区宽度） ? 扩散电流 （趋近于0） ? 此时总电流＝反向饱和电流（漂移电流）：I5
注：反向饱和电流I5只与温度有关，与外加电压无关。 【PN结的反向击穿】：
齐纳击穿：势垒区窄，较高的反向电压形成的建电场将价电子拉出共价键，导致反向电流剧增。< 4V
? 雪崩击穿：势垒区宽，载流子穿过PN结时间长，速度高，将价电子从共价键中撞出来，撞出来的电子再去撞别的价电子，导致反向电流剧增。 >7V
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当反向电压在4V和7V之间的时候，两种击穿均有。 【PN结的电容效应】：
势垒电容：外加电压变化引起势垒区宽窄的变化引起。它与平行板电热器在外加电压作用下，电容极板上积累电荷情况相似。对外等效为非线性微变电容。（反偏减小，正偏增大）
? 扩散电容：当PN结外加正向电压时，由于扩散作用，从另一方向本方注入少子，少子注入后，将破坏半导体的电中性。为了维持电中性，将会有相同数量的异性载流子从外电路进入半导体，在半导体中形成空穴－电子对储存。外电压增量引起空穴－电子对存储就象电容充电一样。
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PN结等效为：两个扩散电容＋一个势垒电容。（对外等效为三个容性电流相加。等效对外不对） .
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反偏：扩散电流＝0，以势垒电容为主。 正偏：扩散电流很大，以扩散电容为主。 §1-3 二极管 一、构成与符号
二
、伏安特性曲线 .
1.正向特性：
正向电压较小时，正向电流几乎为0──死区。
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当正向电压超过某一门限电压时，二极管导通，电流随电压的增加成指数率的关系迅速增大。
门限电压（导通电压）──UD ：硅管 ──0.5-0.7V 锗管 ──0.1-0.2V
2．反向特性：
当外加电压小于反向击穿电压时，反向电流几乎不随电压变化。 当外加电压大于反向击穿电压 UB时，反向电流随电压急剧增大（击穿）。
3．伏安特性解析式
在理想条件下，PN结的伏安（电流与结电压）关系式：──呈指数关系
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硬件电路设计基础知识
