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南开大学《电子综合基础》考研真题2011年

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南开大学《电子综合基础》考研真题2011年

(总分:75.00,做题时间:90分钟)

一、{{B}}简答题{{/B}}(总题数:5,分数:20.00)

1.简单叙述N沟道增强型和耗尽型MOS管的主要区别。 (分数:4.00)

__________________________________________________________________________________________ 正确答案:(从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于当栅-源极间电压Ugs=0时,耗尽型MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产生,而增强型没有。) 解析:

2.由双极晶体管组成的共射极放大电路,其上、下限截止频率主要取决于哪些元件? (分数:4.00)

__________________________________________________________________________________________ 正确答案:(上、下限截止频率主要取决于输出电阻、集电极电阻和电容。) 解析:

3.在稳压电源电路中,为了稳定输出电压,一般采用什么负反馈? (分数:4.00)

__________________________________________________________________________________________ 正确答案:(一般采用电压负反馈。) 解析:

4.提高电压放大电路的输入阻抗有什么好处? (分数:4.00)

__________________________________________________________________________________________ 正确答案:(提高电压放大电路的输入阻抗可以稳定输入电流,抑制温漂。) 解析:

5.开关电源中续流二极管的主要作用是什么? (分数:4.00)

__________________________________________________________________________________________ 正确答案:(主要作用是在开关管关闭时,储能电感能与续流二极管构成回路,在此种情况下,二极管是导通的。) 解析:

二、{{B}}{{/B}}(总题数:1,分数:10.00)

6.如下图所示电路,三极管的参数相同,β=100,|UBE|=0.5V,|UA|=∞,试计算流过R3的电流。 (分数:10.00)

__________________________________________________________________________________________ 正确答案:(根据题意,由R2、VT1和VT2组成的支路,可得流过R2的电流为: [*]

所以UE4=12.5-0.05×230=1V,则可得:UB4=1-UEB4=0.5V 因此流过R1的电流为[*],即:I1=IC3=3mA

由VT3和VT2组成镜像电路,可见,流过R3的电流为3mA。) 解析:

三、{{B}}{{/B}}(总题数:1,分数:15.00)

7.如下图所示电路,设二极管的正向导通压降UD=0.6V,试计算流过每个电阻上的电流。 (分数:15.00)

__________________________________________________________________________________________ 正确答案:(根据二极管的导通特性,共阴极连接的二极管电路,阳极电压高的优先导通;共阳极连接的二极管电路,阴极电压低的优先导通。

由题图所示电路可知,VD1与VD2,VD3与VD4是共阴极连接,经分析不可能存在同时导通的情况,只可能VD2与VD3同时导通,所以可得如下方程组: [*]

解得:I1=0.8mA,I2=1.2mA,I3=0.4mA

则流过R1,R2和R3上的电流分别为0.8mA,1.2mA和0.4mA。) 解析:

四、{{B}}{{/B}}(总题数:1,分数:15.00)

由理想运算放大器和二极管(正向导通压降为零)组成的电路如下图1所示。

图1

(分数:15.00)

(1).分析计算输出电压uo,并画出输出电压uo随输入电压u(分数:7.50)

__________________________________________________________________________________________ 正确答案:(由理想运放的“虚短”和“虚断”,可得: [*]

输出电压uo随输入电压ui的变化曲线如图2所示。

[*]

图2

) 解析: R

__________________________________________________________________________________________ 正确答案:(R3的作用是是阻抗匹配作用,增加带负载能力。) 解析:

五、{{B}}{{/B}}(总题数:1,分数:15.00)

8.由理想运算放大器组成的电路如下图所示,电容C1、C2和C3足够大,三极管的β值很大,UBE=0.5V,UA=∞,忽略基区电阻,计算电压增益 (分数:15.00)

__________________________________________________________________________________________ 正确答案:(可将电路分为两级放大电路,第一级为共射放大电路,第二级为理想运算放大电路。先算第一级放大电路的静态工作点:[*] 所以静态电流为:[*]

静态电压为:UCE=12-(R3+R4)IE=4V

利用小信号分析法,该共射放大电路的电压放大倍数为: [*]

三极管的β值很大,可得:[*]

第二级放大电路为差动放大器电路,其电压放大倍数为:[*] 所以电压增益为:[*]) 解析:

南开大学《电子综合基础》考研真题2011年

南开大学《电子综合基础》考研真题2011年(总分:75.00,做题时间:90分钟)一、{{B}}简答题{{/B}}(总题数:5,分数:20.00)1.简单叙述N沟道增强型和耗尽型MOS管的主要区别。(分数:4.00)________________________________________________________
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