100V MOS管100V场效应管30N10低结电容低内阻HG021N10L
HG021N10L参数：100V30A ，丝印：HG021N10L ，类型：N沟道场效应管，内阻25mR，低结电容890pF， 封装：TO-252，低开启电压1.6V，低内阻，结电容小,低开启电压
型号：HC080N06L N沟道场效应管 60V17A 15N06 TO-252封装， 内阻70mR
型号：HC080N06LS N沟道场效应管 丝印HC606 60V6A SOT23-3封封装 内阻90mR
型号：HC706 N沟道场效应管 60V7A SOP-8封装 内阻80mR
型号：HC020N03L N沟道场效应管 30V30A TO-252 内阻20mR
型号：HC3600M N沟道场效应管 30V8A SOT23-3封装 内阻22mR
型号：HC3400M N沟道场效应管 30V5.8A SOT23-3封装 内阻30mR
型号：HC1033D N沟道场效应管 100V8A DFN3*3封装 内阻145毫欧
型号：HC1019D N沟道场效应管 100V14A DFN3*3封装 内阻84毫欧
型号：HC1006DD N沟道场效应管 100V30A DFN3*3封装 内阻20毫欧
型号：HC6033D N沟道场效应管 60V13A DFN3*3封装 内阻70毫欧
型号：HC6019D N沟道场效应管 60V20A DFN3*3封装 内阻30毫欧
型号：HC5511D N沟道场效应管 55V40A DFN3*3封装 内阻13毫欧
型号：HC3022D N沟道场效应管 30V45A DFN3*3封装 内阻13毫欧
型号：HC3022D N沟道场效应管 30V45A DFN3*3封装 内阻13毫欧
100V MOS管100V场效应管30N10低结电容低内阻HG021N10L
