用碳饱和硅熔体制备的3C-SiC薄片及其光致发光

用碳饱和硅熔体制备的3C-SiC薄片及其光致发光

马剑平;卢刚;陈治明;杭联茂;雷天民;封先锋

【期刊名称】《西安电子科技大学学报（自然科学版）》 【年(卷),期】2001(028)004

【摘要】将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化,坩埚内壁石墨自然熔解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体,在石墨表面形成SiC多晶薄层并通过改变工艺条件使薄层变厚形成厚约0.5 mm的SiC多晶薄片.X射线衍射(XRD)、Raman散射等分析表明所制备样品为3C-SiC多晶体.采用He-Cd激光325 nm线在不同温度下对实现样品进行了光致发光(PL)测试分析.PL实验结果表明随着温度的变化,PL发光中心发生蓝移,其中心由2.13 eV移至2.39 eV. 【总页数】3页(535-537)

【关键词】熔体;3C-SiC;薄片;光致发光

【作者】马剑平;卢刚;陈治明;杭联茂;雷天民;封先锋

【作者单位】西安理工大学电子工程系,;西安理工大学电子工程系,;西安理工大学电子工程系,;西安理工大学电子工程系,;西安理工大学电子工程系,;西安理工大学电子工程系, 【正文语种】中文 【中图分类】TN304 【相关文献】

1.6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构制备及其发光特性 [J], 刘金锋; 刘忠良; 任鹏; 徐彭寿; 陈秀芳; 徐现刚

2.多孔硅衬底上溅射沉积SiC:Tb薄膜的光致发光行为 [J], 徐大印; 刘彦平; 何