第三代半导体材料项目规划设计方案

第三代半导体材料项目

规划设计方案

规划设计/投资方案/产业运营

报告说明—

该第三代半导体材料项目计划总投资16269.01万元，其中：固定资产投资12290.03万元，占项目总投资的75.54%；流动资金3978.98万元，占项目总投资的24.46%。

达产年营业收入30520.00万元，总成本费用24279.60万元，税金及附加307.50万元，利润总额6240.40万元，利税总额7408.64万元，税后净利润4680.30万元，达产年纳税总额2728.34万元；达产年投资利润率38.36%，投资利税率45.54%，投资回报率28.77%，全部投资回收期4.98年，提供就业职位502个。

氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为最成熟的第三代半导体材料又称宽禁带半导体材料（禁带宽度大于2.2ev），其余包括氧化锌、金刚石、氮化铝的研究还处于起步阶段。

第一章 项目概述

一、项目概况

（一）项目名称及背景 第三代半导体材料项目 （二）项目选址 某经济示范中心

（三）项目用地规模

项目总用地面积51052.18平方米（折合约76.54亩）。 （四）项目用地控制指标

该工程规划建筑系数67.17%，建筑容积率1.32，建设区域绿化覆盖率5.70%，固定资产投资强度160.57万元/亩。

（五）土建工程指标

项目净用地面积51052.18平方米，建筑物基底占地面积34291.75平方米，总建筑面积67388.88平方米，其中：规划建设主体工程50027.26平方米，项目规划绿化面积3840.27平方米。

（六）设备选型方案

项目计划购置设备共计158台（套），设备购置费4132.62万元。