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北航考博辅导班：2019北京航空航天大学集成电路设计考博难度解
析及经验分享
根据教育部学位与研究生教育发展中心最新公布的第四轮学科评估结果可知，全国开设集成电路设计专业的大学参与了2018-2019集成电路设计专业大学排名，其中排名第一的是山东大学，排名第二的是北京大学，排名第三的是北京航空航天大学。
作为北京航空航天大学实施国家“211工程”和“985工程”的重点学科，北京航空航天大学的集成电路设计一级学科在历次全国学科评估中均名列第三。
下面是启道考博辅导班整理的关于北京航空航天大学集成电路设计考博相关内容。 一、专业介绍
集成电路设计（Integrated circuit design, IC design），亦可称之为超大规模集成电路设计（VLSI design），是指以集成电路、超大规模集成电路为目标的设计流程。集成电路设计涉及对电子器件（例如晶体管、电阻器、电容器等）、器件间互连线模型的建立。所有的器件和互连线都需安置在一块半导体衬底材料之上，这些组件通过半导体器件制造工艺（例如光刻等）安置在单一的硅衬底上，从而形成电路。 北京航空航天大学电子信息工程学院博士招生专业
专业代码及名称：05、0809J5 集成电路设计 考试科目详细内容，请咨询招生学院。 二、综合考核
北京航空航天大学集成电路设计专业博士研究生招生为资格审查加综合考核形式。其中，综合考核内容为 :
复试以综合面试的方式进行差额录取。学院按学科（专业）成立复试专家组（定向生除外），由不少于5人的本学科（专业）或相近学科（专业）的博士生导师组成，对参加复试的考生进行综合考核，主要评价学生视野、实际应用知识能力及培养潜力。
复试成绩满分300分。复试成绩低于180分为不合格，不予录取。 综合面试环节主要内容和形式如下： （1) 思政考核：不合格者不予录取。 （2）外语水平（满分100分）；
英文自我介绍，随机的英语提问和回答，考核英语听说能力。
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（3）专业知识考核（满分：100分）
全面考核考生对所学学科(专业)理论知识和应用技能掌握程度，利用所学理论发现、分析和解决问题的能力，及对所学和报考学科发展动态的了解以及在报考专业领域发展的潜力。
1）研究生阶段学习情况及成绩；
2）科研活动能力及在研究生阶段科研业绩； 3）数理基础及专业知识； 4）创新精神和创新能力。
（4）综合能力测试（满分：100分）
全面考核考生教育背景、学术思想、创新意识、科研能力、逻辑思维、语言表达、心理素质等。
四、申请材料 （一）申请-考核制
1、符合北航“2019年博士研究生招生简章”中“申请考核”考生的相关要求。 考生须符合下列条件之一：
（1）硕士研究生毕业或已获硕士学位的人员。 （2）应届硕士毕业生。
（3）同等学力人员，须同时符合以下3个条件：
a. 获得学士学位6年以上（含6年，从获得学士学位之日算起到博士入学之日）； b. 已在报考学科、专业或相近研究领域的核心期刊上发表两篇以上学术论文（第一作者），或已获得省、部级以上与报考学科相关的科研成果奖励（排名前三名）；
c. 修完报考专业硕士研究生全部学位必修课，并提交进修单位开具的学习证明及成绩单。
提示：同等学力考生须加试政治理论课以及两门报考专业的硕士学位主干课程，加试方式为笔试；非学历硕士考生在报考时如果尚未获得硕士学位证书，按同等学力人员对待。
2、本科及硕士专业均为理工科相关专业。 3、须符合下列条件之一:
（1）本科或硕士就读于“双一流”高校，“一流学科”高校，学科评估中相关学科专业评估为A类（含A+、A、A-）、B+的其它高校，国家级研究所的应届及往届学历硕士毕业
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生(包括全日制专业学位硕士研究生)；
（2）已取得国外一流大学相关专业硕士学位，其所持境外获得的学位证书须通过教育部留学服务中心认证。
（3）不符合条件（1）和（2）的其他考生，由招生工作小组进行资格审查，择优审核认定。
4、英语水平须符合下列条件之一：
（1）已经通过国家英语六级考试(或2011年1月1 日以后获得国家英语六级考试425分以上)，或相同水平的英语考试成绩，如托福（TOEFL90分以上）/雅思（IELTS不低于6.0分)；
（2）在英语国家或地区获得过学士或硕士学位；
（3）以第一作者或导师第一、学生第二作者已经发表英文期刊或国际会议论文。 （二）硕博连读
1）拥护中国共产党的领导，具有正确的政治方向，热爱祖国，愿意为社会主义现代化建设服务，遵纪守法，品行端正。
2）身体和心理健康状况符合相关规定。
3）成绩优秀（一年级硕士研究生需有一等或二等学业奖学金），对学术研究有浓厚兴趣,具有较强创新精神和科研能力的我校在学学历硕士研究生；发表高水平学术论文、获得省部级以上科研成果奖和获得全国级别学科竞赛奖等科研活动表现优异者，可适当放宽对学习成绩的要求。
4）须有至少两名所报考学科专业领域内教授（或相当专业技术职称的专家）的书面推荐意见。
5）申请硕博连读须获得硕士生导师同意和硕士所在学院的同意。 五、考博分数
集成电路设计：复试成绩满分300分。其中外语水平满分100分；专业知识考核满分100分；综合能力测试满分100分。
六、导师介绍
张有光
教授、博士生导师，北京市教学名师 主要研究方向及特色：
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自旋电子器件、电路与集成系统
2011年与赵巍胜教授合作开展自旋电子学研究，2013年联合创建自旋电子交叉学科研究中心，2014年创建费尔北京研究院，2015年获批111创新引智基地、2016年获批工信部协同创新中心、科技部国际合作示范基地。
目前主要研究方向：基于自旋电子的集成系统架构、可靠性与类脑计算。
自旋电子器件具有非易失存储、无限次高速读写等优点，存储与计算可在固体内部有机地结合在一起，能够构建人工神经网络的突触。突触作为人脑神经元之间的连接部分，是人脑存储和处理信息的基本单元。纳米级存储器件的功能与生物学意义上的突触相似，并且学习方式也与机器学习类似，因此利用纳米器件作为人工突触的研究层出不穷，并集中于面向器件和面向应用两个方向。该研究领域最终目标是研发能够学习并自适应处理自然数据的超低功耗嵌入式系统。未来的电子设备将实现环境自适应和认知智能化；利用人工神经网络实现低功耗认知应用，可以模拟人脑的思考方式，简化人们的日常生活，有效地计算现实生活中的数据，实现自主式的搜集和处理信息及逻辑推理，智能控制调度与指挥。
1992年开始指导研究生，累计培养18名博士，50多名硕士，获校级优秀博士论文1名；担任本科教学副院长10年以上，校教学指导委员会、校通识教育委员会核心成员，教学经验丰富，能够根据学生特点选择培养目标与教育模式。曾获国家教学成果二等奖1项、北京市教学成果一等奖1项，北京市教学名师、宝钢全国优秀教师奖、国家公开视频课1门、中国电子教育学会优秀教材一等奖。
主持国家自然基金面上项目“基于自旋电子器件随机性的神经网络认知系统”2015-2018，科技部国际科技合作专项“自旋电子非易失存储芯片关键技术研究”2015-2017，国家自然基金创新群体核心成员，参与多项国家重大科技项目。已经完成多项国家自然基金、973 、863子课题。与费尔、赵巍胜、于海明等教授联合指导博士生8名，硕士生6名。
教学情况：本科课程：电子信息工程导论、随机过程理论、电子信息案例分析；研究生：通信网络理论基础；
人才培养情况：已毕业博士3名、硕士研究生65名，在学硕士研究生9名、博士研究生10名（已有5名同学获教育部联合培养基金到国外学习，同时还有2名同学硕士毕业后推荐去攻读博士）；
博士培养目标：具有创新精神和工程管理能力；已有多名毕业生担任企业中高层经理。 学术论文与专著
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1、《桥函数理论及其应用研究》，专著，国防工业出版社，第二作者，1992年4月； 2、《多载波通信》杨列亮著，张有光、潘鹏、孙玉泉等翻译
1.A fully integrated CMOS voltage regulator for supply-noise-insensitive charge pump PLL design 2010. vol. 41 240-246 Microelectronics Journal学生第1作者(排名2)
2.Time-Frequency Iterative Multiuser Detection in Time-Frequency-Domain Spread Multicarrier
DS-CDMA Systems over Nakagami-m Fading Channels 2010.vol.22pp.2-13 Europen Transactions on Telecommunications学生第1作者(排名3)
3．The Development of On-Chip Serial Link Transmitter for MAPS 2010 vol. 57 543-549 IEEE Transactions on Nuclear Science学生第1作者（排名6）联合指导
4．A Supply-Noise-Insensitive PLL in Monolithic Active Pixel Sensors
2011 vol.11 2212-2219 IEEE Sensor Journal学生第1作者（排名2）
5.Redundant Residue Number System Assisted Multicarrier Direct-Sequence Code-Division Dynamic Multiple-Access for Cognitive Radios 2012 vol.61(3) 1234-1250
IEEE Transaction on Vehicular Technology学生第1作者(排名3)
6.High reliability sensing circuit for deep submicron spin transfer torque magnetic random access memory 2013 vol.49(20) 1283-1285 IET Electronics Letters 学生第1作者(排名4)期刊封面并作为唯一热点论文
7.A low-cost built-in error correction circuit design for STT-MRAM reliability improvement 2013 vol.53 1224-1229 Microelectron. Reliab 学生第1作者（排名6）
8.On the Asymptotic Spectral Efficiency of Uplink MIMO-CDMA Systems Over Rayleigh Fading Channels With Arbitrary Spatial Correlation 2013 679-691 IEEE Transactions on Vehicular Technology学生第1作者(排名2)
9.Capacity of Generalized Network MIMO Systems With Multicell Processing 2013 vol.7(17) 1925-1937 IET Proceeedings Communications: Special Issue on Cooperative Wireless and Mobile Communications学生第1作者(排名2)
10. Comparative study of various multiuser detection and base-station cooperation schemes for uplink multicell systems
2013(71), pp.1-16 EURASIP
vol.62(2)
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