电镀工艺总结
随着芯片集成度的不断提高，铜互连己经取代铝互连成为超大规模集成电路制造中的主流互连技术。作为铝互连线的替代技术，铜互连线可以降低互连阻抗，提高集成度、器件密度和时钟频率，降低功耗及成本。由于对铜的刻蚀异常困难，因此铜互连采用双嵌入式工艺，又称双大马士革工艺(Dual Damascene)，1)首先沉积一层薄的氮化硅作为刻蚀终止层和扩散阻挡层;2)接着在氮化硅上面沉积一定厚度的氧化硅； 3）光刻出微通孔(Via)；4)对微通孔进行部分刻蚀；5）光刻出来沟槽；6)继续刻蚀出完整的通孔和沟槽；7)溅射扩散阻挡层(TaN/Ta)和铜种籽层(Seed Layer)。Ta的作用是增强与铜的粘附性，种籽层的作用是作为电镀时的导电层；8)铜互连线的电镀工艺；9)退火和化学机械抛光(CMP)，对铜镀层进行平坦化处理和清洗。铜互连双嵌入式工艺示意图如图所示：
铜互连双嵌入式工艺示意图
电镀是完成铜互连线的最主要的工艺。集成电路中的铜电镀工艺一般采用硫酸盐体系的电镀液，镀液由硫酸、硫酸铜和水组成，颜色呈淡蓝色。当电源加在硅片(阴极)和铜(阳极)之间时，溶液中就会产生电流并形成电场。阳极的铜发生反应转化成为铜离子和电子，同时阴极也发生反应，阴极附近的铜离子与电子结合形成镀在硅片表面的铜，铜离子在外加电场的作用下，由阳极向阴极定向移动并补充阴极附近的铜浓度损耗。电镀的主要目的是在硅片上沉积一层致密、无缝隙、无孔洞及其它缺陷，分布均匀的铜。
集成电路电镀铜工艺示意图
脉冲电镀的工作原理主要是利用电流(或电压)脉冲的张弛增加阴极的活化极化和降低阴极的浓差极化。当电流导通时，接近阴极的金属离子充分地被沉积; 当电流关断时，阴极周围的放电离子恢复到初始浓度。这样周期的连续重复脉冲 电流主要用于金属离子的还原，从而改善镀层的物理化学性能。
脉冲电镀参数主要有:脉冲电流密度、平均电流密度、关断时间、导通时间、 脉冲周期(或脉冲频率)、占空比。
脉冲电镀波形繁多，很多种类都还有待开发，但一般可分为单脉冲电镀(正 弦波脉冲电镀、锯齿波脉冲电镀、方波脉冲电镀、多波形脉冲电镀)和双脉冲电 镀(周期换向脉冲电镀)。在实际使用中，方波脉冲电镀使用较为普遍。
采用脉冲电流，由于存在着瞬时的反向电流，这无疑会对粗大的晶粒起到整 平的作用，同时也会增加阴极极化，从而加快晶核形成速度、降低成长速度使镀 层结晶致密而减少空隙的形成。随着集成电路的互连线由铜取代铝，电镀铜技术就被广泛应用于集成电路互连线中。根据集成电路的发展需要，铜互连线对电镀沉积所形成的薄膜的要求也越也越来越高。如何提高电镀铜技术以得到满足集成电路互连要求的铜镀层是研究的方向之一。此外，电镀铜在印制电路板中生产中也有广泛应用，对于柔性互连中电镀铜膜的要求也不断提高，脉冲电镀以其优于直流电镀的特点在柔性互连线制作中越发显示出它的优势。
脉冲电镀是20世纪60年代发展起来的一种电镀技术，因为它的应用范围极 广，不但在各种常规镀种的高速电镀上应用，而且在印制板高密度互连通孔酸性镀铜上，在制造纳米晶、纳米多层膜时，应用脉冲电镀都比直流好，因此脉冲电镀发展非常迅速。脉冲电镀的研究主要集中在印刷电路板的通孔镀铜技术上，近几年来，随着信息技术的快速发展对高性能印制电路板(PrintingCircuitBoard，PCB)技术及品质要求不断提高，电路的设计要求趋向于细导线、高密度、小孔径，特别是HDI印制板中的微小盲孔，现今的直流电镀难以满足要求，高厚径比小孔电镀技术就是其关键问题之一。随着脉冲电镀原理研究的进一步成熟、新方法的诞生(如脉冲换向电流电镀将提供更多的可独立调节的脉冲参数)和更高电流密度电源的出现，脉冲电镀将能够解决更多直流电镀不能解决的一些问题，有助于它在非贵金属电镀领域取得更到的发展，再加上脉冲电镀能够借助关断时间内扩散层的松弛克服自然传递的限制，使金属离子浓度得到恢复，对金属离子共沉积十分有利，这将对脉冲电镀在合金电镀领域提供更大的发展空间。同时，因为直流沉积时，电极表面的金属离子消耗得不到及时补充，放电离子在电极表面浓度低，电极表面形成晶核速度小，晶粒的长大较快，而在脉冲条件下，由于电沉积反应受扩散控制，镀层中晶粒长大速度很慢，对纳米晶材料生成十分有利，所以，这也将是脉冲电镀发展的一个主要方向。
在电镀过程中，由于镀层的形成可认为是晶核的形成与成长过程，如果晶核 的形成速度大于成长速度则镀层致密，空隙率低。采用脉冲电流，由于存在着瞬 时的反向电流，这无疑会对粗大的晶粒起到整平的作用，同时也会增加阴极极化， 从而加快晶核形成速度、降低成长速度使镀层结晶致密而减少空隙的形成。脉冲电镀特点主要体现在以下四个方面:
l)能够得到孔隙率低、致密、导电率高的沉积层，因此具有良好的防 护能力;
2)降低浓差极化，提高了阴极的电流密度，从而达到提高镀速的作用; 3)消除氢脆，镀层内应力得以改善;
4)减少了添加剂的使用，提高镀层纯度，成份稳定，深镀能力强。
脉冲电镀铜所依据的电化学原理是利用脉冲张驰增加阴极的活化极化，降低 阴极的浓差极化，从而改善镀层的物理化学性能。在直流电镀中，由于金属离子 趋近阴极不断被沉积，因而不可避免地造成浓差极化。而脉冲电镀在电流导通时， 接近阴极的金属离子被充分地沉积;当电流关断时，阴极周围的放电离子又重新 恢复到初始浓度。这样阴极表面扩散层内的金属离子浓度就得到了及时补充，扩 散层周期间隙式形成，从而减薄了扩散层的实际厚度。如果使用短脉冲，则将出 现非常大的电流强度，这将使金属离子处在直流电镀实现不了的极高过电位下沉 积，极化程度加大，分散能力更好，从而改善镀层性能，其作用和在电镀液中加 入添加剂的作用相似。关断时间的存在不仅对阴极附近浓度恢复有好处，而且还 会产生一些对沉积层有利的重结晶、吸脱附等现象。
电镀铜常用的工艺有碱性氰化物镀铜、硫酸盐镀铜、焦磷酸盐镀铜、柠檬酸 盐镀铜和HEDP镀铜，其中硫酸盐镀铜是电镀生产上应用最早的工艺之一。也是被广泛应用于电子行业的一种电镀铜技术。
加速剂，又叫光亮剂，通常是小分子量的含有硫或其他官能团的有机物，包 括硫脲及其衍生物。它是电镀的催化剂，与氯离子协同作用可降低Cu->Cu+->Cu0转化的能量，它一方面置换被吸附的抑制剂，促进铜的成核;另一方面优先吸附在某些活性较高、生长速率较快的晶面上，使得吸附金属离子进入这些活性点有困难，于是这些晶面的生长速率下降，这样就可能使整个晶面的生长速度均匀，形成结构致密、定向排列整齐的晶体。
抑制剂，又被称为载体，通常是大分子量的聚氧-烷基化合物，它与氯离子 协同作用可抑制铜的电沉积，减小高低电流区的差异，使得铜能够均匀沉积。另 外，抑制剂同时也可以充当润湿剂，降低界面的表面张力，让镀液能更容易进入 孔内，增加传质效果。抑制剂单独使用对沉积的影响很小，与氯离子协同作用， 可以加强其吸附和阻化作用。
平坦剂，是高强度的电镀抑制剂，与其他添加剂协同作用可明显减小镀层的 晶粒尺寸，起到整平作用。通常，平坦剂是含氮的杂环或非杂环的芳香族化合， 因其分子中含有易极化的氮原子，所以极易吸附在带有负电荷的阴极表面。尤其是高电流密度区，从而减缓该处的点沉积，而不影响低电流密度区的沉积，借此来起到对镀层的整平作用。抑制剂有助于细密颗粒的形成，导致镀层内应力的增加。很多添加剂夹杂于镀层中，改变了镀层的微结构，降低了镀层的导电性能。这就使造成铜镀层电阻率最大的原因。
1）浓差极化：在电解过程中，电极附近某离子浓度由于电极反应而发生变化，本体溶液中离子扩散的速度又赶不上弥补这个变化，就导致电极附近溶液的浓度与本体溶液间有一个浓度梯度，这种浓度差别引起的电极电势的改变称为浓差极化，用搅拌和升温的方法可以减少浓差极化，但也可以利用滴汞电极上的浓差极化进行极谱分析。（2）电化学极化：电极反应总是分若干步进行，若其中一步反应速率较慢，需要较高的活化能，为了使电极反应顺利进行所额外施加的电压称为电化学超电势（亦称为活化超电势），这种极化现象称为电化学极化。
电镀工艺总结
