助熔剂法又称熔剂法或熔盐法，它是在高温下从熔融盐熔剂中生长晶体的一种方式。利用生长晶体的历史已近百年，此刻用助熔剂生长的晶体类型很多，从金属到硫族及卤族化合物，从半导体材料、激光晶体、光学材料到磁性材料、声学晶体，也用于生长宝石晶体，如助熔剂法红宝石和祖母绿。
一、助熔剂法的大体原理和方式
助熔剂法是将组成宝石的原料在高温下溶解于低熔点的助熔剂中，使之形成，然后通过缓慢降温或在恒定温度下蒸发熔剂等方式，使熔融液处于过饱和状态，从而使宝石晶体析诞生长的方式。助熔剂一样为无机盐类，故也被称为盐熔法或熔剂法。
助熔剂法依照晶体成核及生长的方式不同分为两大类：自发成核法和生长法。
一、 自发成核法
依照取得过饱和度方式的不同助熔剂法又可分为缓冷法、反映法和蒸发法。这些方式中以缓冷法设备最为简单，利用最普遍。
缓冷法是在高温下，在晶体材料全数熔融于助熔剂中以后，缓慢地降温冷却，使晶体从饱和熔体中自发成核并慢慢成长的方式。
二、 籽晶生长法
籽晶生长法是在熔体中加入籽晶的晶体生长方式。要紧目的是克服自发成核时晶粒过量的缺点，在原料全数熔融于助熔剂中并成为过饱和溶液后，晶体在籽晶上结晶生长。
依照晶体生长的工艺进程不同，籽晶生长法又可分为以下几种方式:
A.籽晶旋转法：由于助熔剂熔融后粘度较大，熔体向籽晶扩散比较困难，而采用籽晶旋转的方法可以起到搅拌作用，使晶体生长较快，且能减少包裹体。此法曾用于生长\卡善\红宝石。
B.顶部籽晶旋转提拉法:这是助熔剂籽晶旋转法与熔体提拉法相结合的方法。其原理是:原料在坩埚底部高温区熔融于助熔剂中，形成饱和熔融液，在旋转搅拌作用下扩散和对流到顶部相对低温区，形成，在籽晶上结晶生长晶体。随着籽晶的不断旋转和提拉，晶体在籽晶上逐渐长大。该方法除具有籽晶旋转法的优点外，还可避免热应力和助熔剂固化加给晶体的应力。另外，晶体生长完毕后，剩余熔体可再加晶体材料和助熔剂继续使用。
C.底部籽晶水冷法：助熔剂挥发性高，顶部籽晶生长难以控制，晶体质量也不好。为了克服这些缺点，采用底部籽晶水冷技术，则能获得良好的晶体。水冷保证了籽晶生长，抑制了熔体表面和坩埚其它部位的成核。这是因为水冷部位才能形成过饱和熔体，从而保证了晶体在籽晶上不断成长。用此法可生长出质量良好的晶体。
D.坩埚倒转法及倾斜法：这是两种基本原理相同的助熔剂生长晶体的方法。当坩埚缓慢冷却至溶液达过饱和状态时，将坩埚倒转或倾斜，使籽晶浸在过饱和溶液中进行生长，待晶体生长结束后，再将坩埚回复到开始位置，使溶液与晶体分离。
E.移动熔剂区熔法：这是一种采用局部区域熔融生长晶体的方法。籽晶和晶体原料互相连接的熔融区内含有助熔剂，随着熔区的移动(移动样品或移动加热器)，晶体不断生长，助熔剂被排挤到尚未熔融的晶体原料一边。只要适当地控制生长速度和必要的生长气氛，用这种方法可以得到均匀的晶体。
二、助熔剂的选择和工艺特点
助熔剂的选择是助熔剂法生长宝石晶体的关键，它不仅能帮忙降低原料的熔点,还直接阻碍到晶体的结晶习性、质量与生长工艺。
助熔剂有两类：
一类为金属，要紧用于半导体单晶的生长；另一类为氧化物和卤化物（如PbO，PbF2等），要紧用于氧化物和离子材料的生长。
理想的助熔剂的条件：
1.对晶体材料应具有足够强的溶解能力；
2.具有尽可能低的熔点和尽可能高的沸点；
3.应具有尽可能小的粘滞性；
4.在利用温度下挥发性要低(蒸发法除外)；
5.毒性和侵蚀性要小，不易与坩埚材料发生反映；
6. 不易污染晶体，不与原料反映形成中间化合物；
助熔剂法及其合成宝石的鉴定
