2012年IEEE国际功率半导体器件(电力电子器件)及功率集成电路会议综述

2012年IEEE国际功率半导体器件（电力电子器件）及功

率集成电路会议综述

胡冬青

【期刊名称】《电力电子》 【年(卷),期】2012(000)005

【摘要】本文概述第24届国际功率半导体器件与功率集成电路会议（ISPSD12）上发表的主要技术成果和进展。主要内容有：全体会场上的三篇特邀综述、高压技术（包括先进的高压开关、器件坚固性和先进的高压二极管）、宽禁带器件（包括GaN器件和SiC器件）、集成功率（包括集成功率技术与应用）、封装与系统集成、低压技术（包括低压器件、可靠性物理和先进转换器）等几个方面。

【总页数】20页(P.6-24,39)

【关键词】高压技术;宽禁带器件;集成功率;封装与系统集成;低压技术 【作者】胡冬青

【作者单位】北京工业大学电控学院 【正文语种】英文 【中图分类】TN432 【相关文献】

1.2011年IEEE国际电力电子器件及功率集成电路会议综述 [J], 胡冬青 2.2010年IEEE功率半导体器件及集成电路国际会议综述 [J], 胡冬青

3.2009年IEEE功率半导体器件及功率集成电路国际会议述评（上） [J], 胡冬青

4.2009年IEEE功率半导体器件及功率集成电路国际会议述评（下） [J], 胡冬青

5.2008年IEEE功率半导体器件及集成电路国际会议评述 [J], 吴郁

以上内容为文献基本信息，获取文献全文请下载