双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管及其制备方法

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201910292495.2 （22）申请日 2019.04.12 （71）申请人 西交利物浦大学

地址 215000 江苏省苏州市工业园区仁爱路111号

（10）申请公布号 CN110137247A

（43）申请公布日 2019.08.16

（72）发明人 刘启晗;赵春;赵策洲;杨莉;王琦男 （74）专利代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司

代理人 范晴

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管及其制备方法

（57）摘要

本发明属于本发明属于半导体技术领域，

特别涉及薄膜晶体管技术。本发明要求保护一种全水溶液法双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管及制备方法。该薄膜晶体管包括：绝缘衬底，栅电极，栅极绝缘层，双层金属氧化物半导体异质结，源电极，漏电极。其中，绝缘衬底位于有机薄膜晶体管的最底层，栅电极，栅极绝缘层，双层金属氧化物半导体异质结，自下而上依次叠覆于该绝缘衬底之上，源电极和漏电极分别

地位于双层金属氧化物半导体异质结之上。本发明的栅极绝缘层和双层金属氧化物半导体异质结有源层采用简单的无机水溶液法制备，整个工艺温度控制在300℃以内。本发明可提高水溶液法制备的TFT及后续器件的电学性能，且制备工艺简单，生产成本低廉。

法律状态

法律状态公告日2019-08-16 2019-08-16 2019-09-10

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效

法律状态

公开 公开

实质审查的生效

权利要求说明书

双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管及其制备方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看