1、 授课题目名称（教学章、节或主题）：第一章 常用半导体器件 1.1半导体基础知识 1.2半导体二极管 授课方式 理论课□ 讨论课□ 实验课□ 习题课□ 周 次 第 1 周 （请打√） 其他□ 课时安排 4学时 教学目的及要求（分掌握、熟悉、了解三个层次）： 1．了解半导体材料的基本结构及PN结的形成与特点 2．掌握PN结的单向导电工作原理 3．掌握了如何用二极管等效模型分析具体电路 教学重点、难点、关键知识点及采用的措施： 重点： PN结的单向导电工作原理 二极管等效模型分析具体电路 难点： 在何种情况下，应用哪种二极管等效模型 处理方案： 利用图解法和举典型例题说明 √ 教具□ 其它□ （请打√） √ 多媒体辅助教学□教学方法及手段设计：板书□教学基本内容（提纲） 1.1 半导体的基本知识 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 1.1.2 本征半导体 一、本征半导体的结构特点 本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 二、本征半导体的导电机理 1.载流子、自由电子和空穴 在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。 2.本征半导体的导电机理 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。 本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。
改进设想 1.1.3 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。 P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。 1.1.4 PN 结的形成 在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导体和N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN 结。 1.2 半导体二极管 1.2.1 半导体二极管的结构 1.2.2 伏安特性 1.2.3 主要参数 1. 最大整流电流 IOM 2. 反向击穿电压UBR 3. 反向电流 IR 4. 微变电阻 rD 5. 二极管的极间电容 1.2.4 二极管的等效电路 1.理想模型 2 .恒压降模型 3.折线模型 4．小信号模型 1.2.5 稳压二极管 1．稳压二极管的伏安特性 2．稳压二极管的参数 （1）稳定电压 UZ （2）电压温度系数?U（%/℃）：稳压值受温度变化影响的的系数。 （3）动态电阻 ?UZr? Z?IZ （4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。 （5）最大允许功耗 PZM?UZIZmax 讨论、作业和思考： 讨论：P63 自测题一、二 练习与思考：P66、1.3 1.6 作业：P66、1.4 其他：采用启发式教学，在保证课程内容的完整性下，通过适量的例题来使学生进一步掌握课程内容，使学生具有一定的分析电路的能力。 授课题目名称（教学章、节或主题）：1.3 双极性晶体管 1.4 场效应管 授课方式 （请打√） √ 讨论课□ 实验课□ 习题课□ 周 次 第 2 周 理论课□其他□ 课时安排 4学时 教学目的及要求（分掌握、熟悉、了解三个层次）： 1、了解晶体管的结构及类型 2．掌握晶体管的电流放大作用 3．了解场效应管的结构及类型 4．掌握的电流放大原理 5．比较晶体管和场效应管 教学重点、难点、关键知识点及采用的措施： 重点： 晶体管和场效应管的电流放大作用。 难点： 晶体管和场效应管的电流放大作用和原理。 处理方案： 结合典型例题讲解说明。 √ 教具□ 其它□ （请打√） √ 多媒体辅助教学□教学方法及手段设计：板书□教学基本内容（提纲） 1.3 双极型晶体管 1.3.1 基本结构及类型 晶体管 的两个PN结 发射结 发射区与基区交界处的PN结 集电结 集电区与基区交界处的PN结 二者通过很薄的基区联系着 晶体管的三个电极：放射极e，集电极c，基极b 1.3.2 晶体管的电流分配与放大作用 1．BJT内部载流子的传输过程 发射区发射电子，集电区收集电子的条件： 发射结加正向电压（正向偏置），集电结加反向电压（反向偏置）。 2．电流分配关系 IC=ICE+ICBO ?ICE IB=IBE-ICBO?IBE ICE与IBE之比称为电流放大倍数 II?ICBOIC ??CE?C?IBEIB?ICBOIB 1.3.3 特性曲线 1 共射极电路的特性曲线
改进设想 vCE
模拟电子技术基础教案
