一种射频功率放大器多芯片模组及其生成方法

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201110025537.X （22）申请日 2011.01.24

（71）申请人 国民技术股份有限公司

地址 518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园区深圳软件园3栋301、302

（10）申请公布号 CN102610595A

（43）申请公布日 2012.07.25

（72）发明人 马平西;张黎阳;赵骞

（74）专利代理机构 北京轻创知识产权代理有限公司

代理人 杨立

（51）Int.CI

H01L25/065; H01L21/98;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种射频功率放大器多芯片模组及其生成方法

（57）摘要

本发明涉及一种射频功率放大器多芯片模

组及其生成方法，其中射频功率放大器多芯片模组包括CMOS裸片和连接在该CMOS裸片之后的GaAs裸片和/或SiGe裸片，所述CMOS裸片中包含CMOS前级功率放大器，所述GaAs裸片中包含GaAs后级功率放大器，所述SiGe裸片中包含SiGe后级功率放大器。本发明提供的射频功率放

大器多芯片模组及其生成方法，能够在降低成本的基础上使射频功率放大器具有较高的性能。

法律状态

法律状态公告日

2012-07-25 2012-07-25 2012-07-25 2012-09-26 2012-09-26 2012-09-26 2015-02-18 2015-02-18 2015-02-18 2015-10-28 2015-10-28 2015-10-28 2017-07-18 2017-07-18 2018-04-06

法律状态信息

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权利要求说明书

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