28nm到14nm工艺代沟,全耗尽硅技术如何弥补

28nm到14nm工艺代沟,全耗尽硅技术如何弥补

赵佶;

【期刊名称】《半导体信息》 【年(卷),期】2012(000)004

【摘要】<正>今日的半导体行业正在经历着若干充满挑战性的转型过程,不过这也为Soitec为市场与客户创造新增加值带来了巨大机遇。随着传统的CMOS技术的日薄西山—这一点从28 nm巨大产量与20 nm缺乏吸引力的规格与成本就可以看出,整个半导体产业的发展方向正在转向全耗尽晶体管架构。然而,如果FinFET和其他全耗尽多栅架构只能从14 nm开始供货的话,在这之前我们又应当怎样应对呢?早在数年之前,Soitec及其合作伙伴就在开展紧 【总页数】4页(P.15-18)

【关键词】nm;加值;技术进步;埋层;传统工艺技术;生产步骤;厚度均匀性;基板;静电泄漏;预定义 【作者】赵佶; 【作者单位】; 【正文语种】英文 【中图分类】TN305 【相关文献】

1.28nm锗硅工艺极微小颗粒缺陷监控方法与改善措施研究 [J], 龙吟; 范荣伟; 罗兴华

2.22 nm工艺超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应研究 [J], 毕津顺; 刘刚; 罗家俊; 韩郑生

3.28 nm技术节点微小多晶硅桥连缺陷检测与改进方法的研究 [J], 范荣伟; 倪棋梁; 陈宏璘

4.14nm量产在即 中芯国际12nm工艺也取得突破 [J], 5.台积电6nm工艺将推出:与5nm组成苹果A14双保险 [J],

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