1半导体中载流子有两种产生方式:本征激发和掺杂。本征激发产生电子—空穴对,且载流子的浓度随温度而变变化。掺杂分为两种情况:掺入施主杂质形成N型半导体,电子为多数载流子;掺入受主杂质形成P型半导体,空穴为多数载流子。掺杂产生的载流子浓度基
本不受温度影响。
2半导体中载流子有两种运动方式:扩散运动和漂移运动,PN结是由这两种运动形成的。
3半导体二极管实质上就是一个PN结,其基本特征是单向导电性。
4集体管由两个背向的PN结组成,它是电流控制器件。他通过基极或射极电流去控制集电极电流。晶体管作放大时,发射结必须正向偏置,集电结必须方向偏置。
6半导体二极管,晶体管和场效应管都是非线性器件。
1放大的过程是指上是微弱信号通过有源器件(晶体管或场效应管)对能量进行控制的过程,是将直流电源提供的能量转化为负载所获得的随信号变化的能量。
2晶体管和场效应管在组成放大电路时,都必须设置合适的、稳定的静态工作点。所不同的是,晶体管是电流控制器件,它需要合适的基极偏置电流,而场效应管是电压控制器件,它需要合适的栅极偏置电压,工作时不出现栅流。
3晶体管组成的放大电路有共发射极、共集电极和共基极3种组态。共发射极电路的电压放大倍数大,因此得到广泛的应用;共集电极电路最突出的特点是输入阻抗高、输出阻抗低,常作多级放大器的输入级、输出级和中间缓冲级;共基极电路的频率响应好,常用于高频电路和宽频带放大器中。与晶体管电路对应,场效应管也可组成共源、共漏,共栅3基本放大电路。
4分析放大电路的方法有两种:图解法和微变等效电路法。图解法用于确定静态工作点和分析放大信号工作的动态情况。h参数微变等效电路法只适用于分析计算低频小信号工作是电路的动态指标。5分析电压放大器的主要工作是计算放大器的电压放大倍数、输入电阻、输出电阻和频率响应等。
6阻容耦合放大器在中频段的放大倍数最大且为定值,当信号频率太高或太低时,放大倍数都将下降,当放大倍数下降为中频段放大的0.707倍时所对应的高端频率和低端频率分别称为放大器的上限频率fH和下限频率fL。上限频率主要取决于极间耦合电容和射极旁路电容。7多级放大器的级间耦合方式有直接耦合、阻容耦合和变压器耦合等。8多级放大器的放大倍数等于各级放大倍数之乘积,其通频带窄于单级放大器,级数越多,通频带越窄。
1差分放大器是集成运放的关键组成部分,其主要性能是能够抑制零点漂移。差分放大器抑制零点漂移的关键所在是电路的对称性和引入了差分对管的公共发射极电阻RE。在RE较大和电路完全对称的情况下,将4中连接方式的差分放大器的技术指标列于表中。(P174)用晶体管恒流源取代差分放大器中的RE,使电路的性能有很大的改善。
2集成运放是模拟集成电路中通用性较强的典型器件,它实质上是一个多级直接耦合放大器。其主要性能是高放大倍数、低零点漂移、高共模抑制比、高输入电阻、低输出电阻等。
围绕这些指标,电路中采取了以下措施:
(1)采用共集—共基差分输入器或复合管,超hfe管和场效应管差分输入级,以进一步提高集成运放的输入电阻。采用晶体管恒流源做差分输入级的发射集公共负载,以提高集成运放的共模抑制比
(2)普遍采用有源负载放大电路,以提高集成运放的放大能力。
(3)采用互补射极输出级,以减小输出电阻,提高集成运放带负载能力。
1交流反馈有四种连接方式(组态):电压(电流)串联(并联)负反馈。凡属电压(电流)负反馈能稳定输出电压(电流),使输出电阻减小(增大),凡是串联(并联)负反馈,是输入电阻增加(减小)。
2反馈的效果与信号源RS内阻有关。对于串联负反馈,Rs越小,反馈效果越显著;反之当rs=无穷时,串联反馈无效果。对于并联负反馈,rs大时,反馈效果显著,rs=0时,无反馈。
2负反馈能提高放大器增益的稳定性、拓展频带、减小非线性失真,能抑制放大器内部的噪声。但这些都是以降低增益为代价换取的来的。
3负反馈放大器性能改善的程度是有反馈深度决定的。反馈深度是衡量负反馈效果的一个重要参量。反馈深度很大是,增益由反馈系数决定,而与放大器件等因素无关,因而增益是稳定的。4引入负反馈以后,虽然能提高放大器工作性能的稳定性,但在多数负反馈放大器中,由电抗元引起的附加相移,可能形成正反馈,甚至产生自激振荡而不能正常工作。为了实现即能提高工作性能的稳定度,又能避免自激振荡的目的,应采用香味矫正技术。常用的相位矫正方法有滞后校正、超前校正,超前—滞后校正。
2反相输入放大器、同向输入放大器和差分输入放大器是信号运算电路的三种最基本形式。它们的共同特点是:电路中都引入了深度负反馈,因此,其闭环电压放大倍数均取决于外电路的元件参数,与运放的参数无关;输出电阻非常小,几乎为零,因此有很强的负载能力。反相输入放大器和差分输入放大器属于电压并联负反馈电路,因此输入电阻较小。而同相输入放大器属于电压串联负反馈电路,其输入电阻很高,由于反相输入放大器。。。
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