掺杂香豆素6的杂化纳米颗粒的制备及荧光性能研究

掺杂香豆素6的杂化纳米颗粒的制备及荧光性能研究

作者：张玉巾;彭洪尚;黄世华;由芳田

作者机构：北京交通大学光电子技术研究所教育部发光与光学信息重点实验室,北京100044;北京交通大学光电子技术研究所教育部发光与光学信息重点实验室,北京100044;北京交通大学光电子技术研究所教育部发光与光学信息重点实验室,北京100044;北京交通大学光电子技术研究所教育部发光与光学信息重点实验室,北京100044 来源：发光学报 ISSN：1000-7032 年：2013 卷：034 期：012

页码：1555-1560 页数：6

中图分类：O433.4;O482.31 正文语种：chi

关键词：香豆素6;荧光;杂化纳米颗粒;浓度猝灭

摘要：采用一种再沉淀-封装法制备了掺杂香豆素6(C6)的杂化荧光纳米颗粒,并通过SEM和DLS对其进行了形貌和粒径大小表征.在450 nm光激发下,制备的C6掺杂纳米颗粒表现出绿色荧光.通过比较光致发光光谱随掺杂浓度的变化,得出C6掺杂纳米颗粒的浓度猝灭是因为分子间能量转移而非C6分子聚集所致.另外,由于所选聚合物基质材料PS和PMMA分子结构的区别,导致PS-基质和PMMA-基质的纳米颗粒的光谱形状不同.C6分子在PS-基质的纳米颗粒中处于两种不同的微环境,所以发射峰较宽;PMMA是线性分子,PMMA-基质的纳米颗粒中只存在一种局域环境,所以发射峰较窄.高的掺杂浓度会超过纳米颗粒对C6分子的负载能力,从而导致C6分子在水溶液中聚集.