第4章 场效应管放大电路与
功率放大电路
4.1 图4.1所示为场效应管的转移特性，请分别说明场效应管各属于何种类型。说明它的开启电压Uth（或夹断电压Up）约是多少。
iD / mA-iD / mA321-10iD / mA1-32uGS / V-3-2-10uGS / V(a)-4-20uGS / V(b)(c)
图4.1 习题4.1图
解：(a) N沟道 耗尽型FET UP=－3V； (b) P沟道 增强型FET UT=－4V； (c) P沟道 耗尽型FET UP=2V。
4.2 某MOSFET的IDSS = 10mA且UP = －8V。(1) 此元件是P沟道还是N沟道？(2) 计算UGS = －3V是的ID；(3) 计算UGS = 3V时的ID。
解：(1) N沟道； (2) ID?IDSS(1?(3) ID?IDSS(1?UGS3)?10?(1?)?3.9(mA) UP8UGS3)?10?(1?)?18.9(mA) UP84.3 画出下列FET的转移特性曲线。
(1) UP = －6V，IDSS = 1mA的MOSFET；(2) UT = 8V，K = 0.2mA/V2的MOSFET。 解：
iD/mA1oiD/mA3.2uGS/V (2)
－6(1)
o812uGS/V
4.4 试在具有四象限的直角坐标上分别画出4种类型MOSFET的转移特性示意图，并标明各自的开启电压或夹断电压。
解：
iD耗尽型N沟道增强型N沟道UPoUTUTUPuGS
4.5判断图4.2所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。
解： (a) 能放大
增强型耗尽型P沟道P沟道(b) 不能放大，增强型不能用自给偏压
??1，可增加Rd，并改为共源放大，（d）不能放大，增强型不能用自给偏压。共漏Au将管子改为耗尽型，改电源极性。
(c) 能放大
图4.2 习题4.5电路图
4.6 电路如图4.3所示，MOSFET的Uth = 2V，Kn = 50mA/V2，确定电路Q点的IDQ和UDSQ值。
解：UGSQ?Rg2Rg1?Rg2?VDD?15?24?3.13(V)
100?15
IDQ?Kn(UGSQ?Uth)2?50?(3.13?2)2?63.9(mA)
UDSQ?VDD?IDQRd?24?63.9?0.2?11.2(V)
+VDD12V+VDD24V+VDD-9VRd560ΩVTVTRg1100kΩRd200ΩRd1.0kΩVTRg215kΩRg10MΩRg10MΩ
(a)(b)
图4.3 习题4.6电路图 图4.4 习题4.7电路图
4.7 试求图4.4所示每个电路的UDS，已知|IDSS| = 8mA。
解：(a) UGSQ=0(V) IDQ=IDSS=8(mA) UDSQ=VDD－IDQRd = 12－8×1=4(V) (b) UGSQ=0(V) IDQ=IDSS=－8(mA)
UDSQ=VDD－IDQRd = －9+8×0.56=－4.52(V)
4.8 电路如图4.5所示，已知VT在UGS = 5V时的ID = 2.25mA，在UGS = 3V时的ID = 0.25mA。现要求该电路中FET的VDQ = 2.4V、IDQ = 0.64mA，试求：
(1) 管子的Kn和Uth的值； (2) Rd和RS的值应各取多大？ 解：（1）ID=Kn(UGS-Uth)2
2.25= Kn(5-UTh)2 0.25= Kn(3-Uth)2 → Uth1=3.5(V) (不合理，舍去)，Uth2=2(V) 求得：Kn=0.25mA/V2，Uth=2V
（2）VDQ=VDD-IDQ·Rd 2.4=12－0.64Rd →Rd=15kΩ
0.64?0.25(UGSQ?2)2 →UGSQ1=0.4(V)(不合理，舍去) UGSQ2=3.6(V)
UGSQ=10－0.64·Rs ∴Rs=10kΩ
4.9 电路如图4.6所示，已知FET的Uth = 3V、Kn = 0.1mA/V2。现要求该电路中FET的IDQ = 1.6mA，试求Rd的值应为多大？
+VDD12VRdRd+VDD15VVTRg1.2MΩRS-VSS-10VVT
最新电工学(下册)电子技术基础 第4章 习题解答电子教案
