制备条件对二氧化钛薄膜性能的影响

制备条件对二氧化钛薄膜性能的影响

武正簧

【期刊名称】《天然气化学（英文版）》 【年(卷),期】2001(010)003

【摘要】Titanium dioxide thin films were prepared by LPCVD. The deposition rate of the TiO2 thin films has been studied. It is shown that water partial pressure, deposition temperature and substrate material have effects on the deposition rate. The structure of the films deposited on silicon substrates was anatase after annealing at 600℃, or a mixture of anatase and rutile at 700℃, or rutile above 850℃.%用低压化学气相沉积法制备TiO2薄膜.研究表明,水的分压、沉积温度、基片材料均对沉积速率有影响.在硅片上镀膜,沉积温度相同而退火温度不同,则薄膜结构亦不同.当退火温度高于85℃时,薄膜为纯金红石薄膜. 【总页数】6页(231-236)

【关键词】低压化学气相沉积;二氧化钛;薄膜 【作者】武正簧

【作者单位】太原理工大学化学工程与技术学院 山西 太原 030024 【正文语种】中文 【中图分类】TE6 【相关文献】

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