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模电总结复习模拟电子技术基础

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模电复习资料

第一章 半导体二极管

一.半导体的基础知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结

* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管

*单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳

? 直流等效电路法

*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳

? 微变等效电路法

三. 稳压二极管及其稳压电路

*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

第二章 三极管及其基本放大电路

一. 三极管的结构、类型及特点

1.类型---分为NPN和PNP两种。

2.特点---基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触 面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。 二. 三极管的工作原理 1. 三极管的三种基本组态 2. 三极管内各极电流的分配

* 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件 式子

3. 共射电路的特性曲线 *输入特性曲线---同二极管。 * 输出特性曲线

(饱和管压降,用UCES表示

放大区---发射结正偏,集电结反偏。 截止区---发射结反偏,集电结反偏。 4. 温度影响

温度升高,输入特性曲线向左移动。 温度升高ICBO、 ICEO 、 IC以及β均增加。 三. 低频小信号等效模型(简化)

称为穿透电流。

hie---输出端交流短路时的输入电阻, 常用rbe表示;

hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比,

常用β表示;

四. 基本放大电路组成及其原则 1. VT、 VCC、 Rb、 Rc 、C1、C2的作用。 2.组成原则----能放大、不失真、能传输。 五. 放大电路的图解分析法 1. 直流通路与静态分析

*概念---直流电流通的回路。 *画法---电容视为开路。 *作用---确定静态工作点

*直流负载线---由VCC=ICRC+UCE 确定的直线。

*电路参数对静态工作点的影响

1)改变Rb :Q点将沿直流负载线上下移动。

2)改变Rc :Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。 3)改变VCC:直流负载线平移,Q点发生移动。 2. 交流通路与动态分析 *概念---交流电流流通的回路

*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。 *作用---分析信号被放大的过程。

*交流负载线--- 连接Q点和V CC’点 V CC’= UCEQ+ICQR L’的 直线。

3. 静态工作点与非线性失真 (1)截止失真

*产生原因---Q点设置过低

*失真现象---NPN管削顶,PNP管削底。 *消除方法---减小Rb,提高Q。 (2) 饱和失真

*产生原因---Q点设置过高

*失真现象---NPN管削底,PNP管削顶。 *消除方法---增大Rb、减小Rc、增大VCC 。 4. 放大器的动态范围

(1) Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。 (2)范围

*当(UCEQ-UCES)>(VCC’ - UCEQ )时,受截止失真限制,UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。 *当(UCEQ-UCES)<(VCC’ - UCEQ )时,受饱和失真限制,UOPP=2UOMAX=2 (UCEQ-UCES)。 *当(UCEQ-UCES)=(VCC’ - UCEQ ),放大器将有最大的不失真输出电压。 六. 放大电路的等效电路法

1. 静态分析

(1)静态工作点的近似估算 (2)Q点在放大区的条件

欲使Q点不进入饱和区,应满足RB2.>βRc 。

放大电路的动态分析 * 放大倍数 * 输入电阻 * 输出电阻

七. 分压式稳定工作点共射 放大电路的等效电路法 1.静态分析 2.动态分析 *电压放大倍数

在Re两端并一电解电容Ce后 输入电阻

在Re两端并一电解电容Ce后 * 输出电阻

八. 共集电极基本放大电路 1.静态分析 2.动态分析 * 电压放大倍数 * 输入电阻 * 输出电阻 3. 电路特点

* 电压放大倍数为正,且略小于1,称为随器。

* 输入电阻高,输出电阻低。

射极跟随器,简称射

第三章 场效应管及其基本放大电路

一. 结型场效应管( JFET )

模电总结复习模拟电子技术基础

模电复习资料第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.
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