碲镉汞p+-on-n长波异质结探测器的研究
叶振华;吴俊;胡晓宁;巫艳;王建新;李言谨;何力
【期刊名称】《红外与毫米波学报》 【年(卷),期】2004(023)006
【摘要】报道了HgCdTe p+-on-n长波异质结焦平面器件的研究结果.采用由分子束外延(MBE)和原位掺杂技术生长的p+-on-n异质结材料,通过湿法腐蚀、台面钝化、台面金属化、铟柱制备和互连等工艺,得到了HgCdTe p+-on-n长波异质结焦平面器件.根据I-V实验结果和暗电流理论,拟合计算和分析了各种暗电流机制对器件性能的影响,且获得了器件的响应光谱和探测率. 【总页数】4页(423-426)
【关键词】HgCdTe;p+-on-n;异质结;R0A
【作者】叶振华;吴俊;胡晓宁;巫艳;王建新;李言谨;何力
【作者单位】中国科学院上海技术物理研究所,材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,材料器件中心,上海,200083 【正文语种】中文 【中图分类】TN4 【相关文献】
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碲镉汞p+-on-n长波异质结探测器的研究
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