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第一章 半导体基础知识
自测题
一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×
二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C
三、UO1≈1.3V UO2=0 UO3≈-1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈-2V 四、UO1=6V UO2=5V 五、根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。
六、1、
IB?VBB?UBE?26μARb
IC?? IB?2.6mAUCE?VCC?ICRC?2VUO=UCE=2V。
2、临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以
IC? IB?VCC?UCES?2.86mARcIC??28.6μA
Rb?VBB?UBE?45.4k?IB七、T1:恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。
习题
1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 ui和uo的波形如图所示。
ui/V10Otuo/V10Ot .
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1.4 ui和uo的波形如图所示。
ui/V53O-3tuO/V3.7O-3.7t 1.5 uo的波形如图所示。
uI1/V30.3OtuI2/V30.3OtuO/V3.71Ot 1.6 ID=(V-UD)/R=2.6mA,rD≈UT/ID=10Ω,Id=Ui/rD≈1mA。
1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。 1.8 IZM=PZM/UZ=25mA,R=UZ/IDZ=0.24~1.2kΩ。
1.9 (1)当UI=10V时,若UO=UZ=6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 UO?RL?UI?3.33V
R?RL 当UI=15V时,由于上述同样的原因,UO=5V。 当UI=35V时,UO=UZ=5V。
(2)IDZ?(UI?UZ)R?29mA>IZM=25mA,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1)S闭合。
(2)Rmin?(V?UD)IDmax?233?,Rmax?(V?UD)IDmin?700?。
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1.11 波形如图所示。
uI/V630uO1/V30ttuO2/V30t 1.12 60℃时ICBO≈32μA。
1.13 选用β=100、ICBO=10μA的管子,其温度稳定性好。 1.14
1.01mA5mA(a)(b) 1.15 晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如表 管号 T1 T2 T3 T4 上 e c e b 中 b b b e 下 c e c c 管型 PNP NPN NPN PNP 材料 Si Si Si Ge 1.16 当VBB=0时,T截止,uO=12V。 当VBB=1V时,T处于放大状态。因为
T5 c e b PNP Ge T6 b e c NPN Ge IBQ?VBB?UBEQRbVBB?UBEQRb?60μA,ICQ?? IBQ?3mA,uO?VCC?ICQRC?9V
当VBB=3V时,T处于饱和状态。因为
IBQ??160μA,ICQ?? IBQ?8mA,uO?VCC?ICQRC<UBE
1.17 取UCES=UBE,若管子饱和,则 ??VCC?UBEVCC?UBER?,Rb?? RC,所以??b?100管子饱和。
RbRCRC 1.18 当uI=0时,晶体管截止,稳压管击穿,uO=-UZ=-5V。
当uI=-5V时,晶体管饱和,uO=0.1V。因为
IB?ICuI?UBE?480μARb ??IB?24mA
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清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
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