晶体二极管和三极管的基本特性

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电子技术基础试题库广东交通职业技术学院电工电子教研组

NO1.晶体二极管和三极管的基本特性

一、填空题Ａ类

１．半导体是一种导电能力介于与之间的物质。

２．半导体按导电类型分为型半导体与型半导体。

３．Ｎ型半导体主要靠来导电，Ｐ型半导体主要靠来导电。

４．ＰＮ结具有性能，即加正向电压时，ＰＮ结，加反向电压时，ＰＮ结。５．晶体二极管主要参数是与。

６．晶体二极管按所用的材料可分为和两类，按ＰＮ结的结构特点可分为和两种。 7 ．PＮ结的正向接法是Ｐ型区接电源的极，Ｎ型区接电源的极。

８．晶体二极管的伏安特性可简单理解为导通，截止的特性。导通后，硅管的管压降约

为，锗管约为。

9．Ｐ型半导体中的多数载流子是，少数载流子是。１０．Ｎ型半导体中的多数载流子是、少数载流子是。

１１．晶体三极管三个电极分别称为极、极和极，它们分别用字母＿、和表示。１２．为了使晶体三极管在放大器中正常工作，发射结须加电压，集电结须加电压。１３．由晶体三极管的输出特性可知，它在、和三个区域。

1 ４、晶体三极管是由两个ＰＮ结构成的一种半导体器件，其中一个ＰＮ结叫做，另一个叫做。

１５．晶体三极管有型和型两种，硅管以型居多，锗管以型居多。

１６．晶体三极管具有电流放大作用的条件是:第一，使区的多数载流子浓度高，区的面积大，区尽可能地薄；第二，使结正向偏置，结反向偏置。

１７．晶体三极管发射极电流Ie、基极电流Ib和集电极电流Ic之间的关系是。其中Ic/Ib叫做，用字母表示;ΔIe/ΔIb叫做，用字母表示。１８．晶体三极管的电流放大作用，是通过改变电流来控制电流的，其实质是以电流控制电流。

１９．硅晶体三极管的饱和电压降为，锗晶体三极管的饱和电压降为。

2０．硅晶体三极管发射结的导通电压约为，锗晶体三极管发射结的导通电压约为。２１．当晶体三极管截止时，它的发射结必须是偏置，集电结必须是或偏置。２２．当晶体三极管处于饱和状态时，它的发射结必定加电压，集电结必定加或电压。２３．当晶体三极管的队Ｕce一定时，基极与发射极间的电压Ｕbe与基极电流Ｉb间的关系曲线称为 ;当基极电流Ib一定时，集电极与发射极间的电压Uce与集电极电流人Ic关系曲线称为。

２４晶体三极管的电流放大系数太小时，电流放大作用将 ;而电流放大系数太大时，又会使晶体三极管的性能。

２５．晶体三极管的穿透电流Iceo随温度的升高而增大，由于硅三极管的穿透电流比锗三极管，所以硅三极管的比锗三极管好。

Ｂ类１．在判别锗、硅晶体二极管时，当测出正向电压为时，就认为此晶体二极管为锗二极管；当测出正向电压为＿时，就认为此二极管为硅二极管。

２．ＰＮ结中的内电场阻止多数载流子的运动，促进少数载流子的运动。

2020-5-27

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３．ＮＰＮ型晶体三极管的发射区是型半导体，集电区是型半导体，基区是型半导体。４．有一个晶体管继电器电路，其晶体管与继电器的吸引线圈相串联，继电器的动作电流为６ｍＡ。若晶体三极管的直流电流放大系数β=５０，便使继电器开始动作，晶体三极管的基极电流至少为。 5 ．2ＡＰ系列晶体二极管是材料做成的，其工作温度较。２ＣＰ、２ＣＺ系列晶体二极管是材料做成的，其工作温度较。

６．点接触型晶体二极管因其结电容，可用于和的场合；面接触型晶体二极管因其接触面积大，可用于的场合。

７．按用途可把晶体二极管分为、、、、等。

８．晶体三极管的输入特性曲线和晶体二极管的相似，晶体三极管输入特性的最重要参数是交流输入电阻，它是＿＿＿和的比值。

Ｃ类１．晶体二极管的直流电阻（即静态电阻）定义为，如果工作点改变，直流电阻。２．晶体二极管的交流电阻（即动态电阻）定义为，如果工作点改变，交流电阻。３．晶体Ｈ极管的结电容Ｃ包含两部分：和，一般占主要地位。４．晶体三极管的伏安特性曲线反映了各极之间的和关系，对了解和使用晶体三极管是非常重要的。晶体三极管的伏安特性曲线可分为和两类。５．晶体三极管的输入电阻可分成直流输入电阻Rbe和交流输入电阻

rbe，Ｒbe= ，ｒbe

＝。工作点变化时，输入电阻。

６．晶体三极管的穿透电流Iceo定义为。它是由产生的，随温度的增高。７．晶体三极管的集电极发射极击穿电压ＢVceo定义为，ＢVceo随温度增高＿。８．在图１.１中分档开关与１端接通时，电压表V的读数是１０V，毫安表ｍＡ的读数是２０ｍＡ。若忽略晶体二极管的正向电阻、电池的内阻和毫安表的内阻，并认为电压表的内阻和晶体二极管的反向电阻为无穷大，则开关Ｓ与２端接通时，毫安表ｍＡ的读数应为，电压表V的读数应为而当开关与３端接通时，mＡ的读数应为，Ｖ的读数应为。

９．晶体三极管的集电极最大允许电流Icm定义为，它是晶体三极管工作电流的上限。二、判断题（对的画Ｏ，错的画ｘ）

Ａ类 1．有一个晶体三极管接在电路中，今测得它的三个管脚电位分别为一9V、－６Ｖ和一６.2Ｖ，说明这

个晶体三极管是锗ＰＮＰ管。（）２．晶体三极管由两个ＰＮ结组成，所以能用两个晶体二极管反向连接起来做成晶体三极管使用。（）３．因为晶体三发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度小得多，所以不能用两个晶体二极管反向连接起来

代替晶体三极管。（）４．晶体三极管相当于两个反向连接的晶体二极管，所以基极断开后还可以作为晶体二极管使用。（）５．晶体二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体三极管的集电结加反向电压时，集电极电流必

然很小。（）

６．Ｎ型半导体的多数载流子是电子，因此Ｎ型半导体带负电。（）７．Ｐ型半导体的多数载流子是空穴，因此Ｐ型半导体带正电。（）

８．晶体Ｈ极管是根据ＰＮ给单向导电的特性制成的，因此晶体二极管也具有单向导电性。（）９．当晶体二极管加反向电压时，晶体二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由Ｐ型和Ｎ到

半导体中少数载流子的漂移运动产生的。（）

１０．当晶体二极管加正向电压时，晶体二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由Ｐ型和Ｎ

型半导体中的多数载流子的扩散运动产生的。（）

2020-5-27

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１１．若晶体三极管发射结处于反向偏置，则其处于截止状态。（）１２．发射结处于正向偏置的晶体三极管，其一定是工作在放大状态。（）１３．空穴和电子一样，都是载流子。（）

１４．在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（）１5 ．一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。（）１６．常温下，硅晶体三极管的Ｕbe＝０．７Ｖ，且随温度升高Ｕbe也增加。（）

Ｂ类

１．用万用表识别晶体二极管的极性时，若测的是晶体一极管的正向电阻，那么，和标有“＋”号的测

试棒相连接的是晶体二极管的正极，另一端是负极。（）２．国产小功率晶体三极管的各管脚的极性如图1－２所示。（）

３．Ｎ型半导体是在本征半导体中，加入少量的三价元素构成的杂质半导体。（）４．Ｐ型半导体是在本征半导体中，加入少量的五价元素构成的杂质半导体。（）

５．在Ｎ型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，教自由电子称为多数载流子，空穴称为少数

载流子。（）

６．在Ｐ型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。（）７．当外加反向电压增加时，ＰＮ结的结电容减少。（）

８．一般来说，硅晶体二极管的死区电压。小于诸晶体二极管的死区电压。（）

Ｃ类１．晶体三极管的基区之所以做得很薄，是为了减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使由发射区进

入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流．（）２．在图ｌ－３所示的电路中，晶体二极管Ｖ若为硅管则能导通，为锗管则不导通。（）３．在图１－４所示电路中，；断开或接上晶体二极管ｙ对电流表Ａ的读数有影响。（）４．当外加电压为零时，ＰＮ结的电容最小。（）

5 ．当反向电压小平反向击穿电压时，晶体二极管的反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，

其反向电流迅速增大。（）６．晶体二极管击穿后立即烧毁。：（）

７．特定的晶体三极管，其静态电阻是固定不变的，但动态电阻则随工作点的变化而改变。（）８．特定的晶体三极管，如环境温度不变，其输入电阻和放大倍数是固定不变的。（）

９．当晶体三极管的工作电流小于集电极最大允许电流，且Uce小于ＢＶceo时，晶体三极管就能安全工作。（）

三、选择题（将正确答案的序号写在括号内）Ａ类

１．当ＰＮ结两端加正向电压时，那么参加导电的是（）。

ａ．多数载流子; ｂ．少数载流子; ｃ．既有多数载流子又有少数载流子２．如果晶体二极管的正、反向电阻都很大，则该晶体二极管（）。ａ．正常;ｂ．已被击穿; Ｃ．内部断路

３．如果晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该晶体二极管（）。ａ．正常; ｂ．已被击穿; ｃ．内部断路

４．当晶体三极管的两个ＰＮ结都反偏时，则晶体三极管处于（）。ａ．饱和状态;ｂ．放大状态;ｃ．截止状态

５．当晶体三极管的两个ＰＮ结都正偏时，则晶体三极管处于（）。ａ．截止状态;ｂ．放大状态;ｃ．饱和状态

６．当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管处于（）。ａ．放大状态; b．饱和状态；ｃ．截止状态

2020-5-27

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７．晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将（）。

ａ．随基极电流的增加而增加；ｂ．随基极电流的增加而减小，Ｃ．与基极电流变化无关，只决定于Uce ８．当晶体三极管的基极电源使发射结反问时，则晶体三极管的集电极电流将（）。ａ．反向；ｂ．增大；Ｃ．中断

９．硅晶体三极管各电极对地电位如图１－５所示，则该晶体三极管的工作状态是（）。ａ．饱和；ｂ．正常放大； c．截止

１０．当温度升高时，半导体电阻将（）。

ａ．增大；ｂ，减小；ｃ．不变Ｂ类

１．晶体二极管的阳极电位是—２０V，阴极电位是—１０V，则该晶体二极管处于（）。

ａ．反偏，ｂ．正偏，ｃ．零偏

２．当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（）。

ａ．增大；ｂ．减小；ｃ．不变

３．在晶体二极管特性的正向区，晶体二极管相当于（）。

ａ．大电阻；ｂ．接通的开关；Ｃ．断开的开关４．用直流电压表测量菜放大电路中的一只ＮＰＮ型晶体三极管，如图１－６所示，各电极对地的电位是：Ｕ；＝ＺＶ，Ｕ：＝６Ｖ，Ｕ．＝２．７Ｖ，则该晶体三极管各脚的名称是（）．

ａ．１脚为ｅ，２脚为ｂ，３脚为ｃ；ｂ．１脚为ｅ，２脚为c，３脚为ｂ；

Ｃ．１脚为ｂ，２脚为ｅ，３脚为c

５．用直流电压表测量ＮＰＮ型晶体三极管电路，晶体三极管各电极对地电位是：Ｕb＝４．７ V，

Ｕc＝４．３ V，Ｕe=４Ｖ（图１－７），则该晶体三极管的工作状态是（）。ａ．截止状态；ｂ．饱和状态; C放大状态Ｃ类

1．点接触型晶体二极管比较适用于（）。

ａ.大功率整流；ｂ．小信号检波；ｃ．小电流开关２．面接触型晶体Ｔｈ极管比较适用于（）。

ａ．高频检波;ｂ．大功率整流;Ｃ．大电流开关３．用万用表欧姆档测量小功率晶体二极管的特性好坏时，应把欧姆档拨到（）。

ａ．Ｒ·Ｘ１００Ω或ＲＸＩｋΩ档；ｂ．ＲＸＩΩ档；ｃ．Ｒｘ１０kΩ档

４．半导体中的自由电子和空穴的数目相等，这样的半导体称为（）半导体。 a．Ｎ型；ｂ．Ｐ型；Ｃ．本征

５．当硅晶体Ｈ极管加上０.４ｙ正向电压时，该晶体Ｈ极管相当于（）．ａ．很小的电阻；Ｌ．很大的电阻；ｃ．短路

６．晶体二极管因所加反向电压大而击穿、烧毁的现象称为（）。

ａ．齐纳击穿；ｂ．雪崩击穿；ｃ．热击穿四、改错题（指出题中错误并予以改正）

Ａ类

１．Ｐ型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。２．Ｎ型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子。

３．ＰＮ结具有单向导电性，即加反向电压时，ＰＮ结导通，加正向电压时，ＰＮ结截止。

2020-5-27

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４．ＰＮ结正向接法是将Ｐ型区接电源的负端，Ｎ型区接电源的正端。５．晶体二极管的伏安特性可大概理解为反向导通、正向截止的特性。６．晶体二极管按所用材料划分，一般分为点接触型和面接触型。

７．为使晶体三极管在放大器中正常工作，其发射结应加反向电压，集电结都应加正向电压。８．晶体三极管有ＰＮＰ型和ＮＰＮ型两种，硅管以ＰＮＰ型居多，锗管以ＮＰＮ型居多。９．当晶体三极管截止时，ｂ、ｅ间没有电流流过，当晶体三极管饱和时，其人必定很大。１０．当加在晶体二极管两端的电压一定时，流经二极管的电流不受其它因素的影响。Ｂ类

１．晶体二极管的直流电阻（静态电阻）Ｒ＝Ｕv/Iv因工作点的改变而改变。

２．无论是哪种类型的晶体三极管，当工作于放大区时，ｂ极电位总是高于ｅ极电位，ｃ极电位也总是高于ｂ极电位。

３．无论是哪种类型的晶体Ｈ极管，其正向电压都为０.2V左右。

４．晶体二极管只要加正向电压，若是处在正向特性的“死区”里，其等效电阻很小，可视为短路。５．2ＣＺ系列晶体ｒｔ极管是锗材料做成的，主要用于检波。６．2ＡＰ系列晶体二极管是硅材料做成的，主要用于整流。

７．晶体三极管的交流电流放大系数表示为β=Ie/Ib，它不随工作点而改变。

８．一般来说，晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减小。

Ｃ类１．晶体二极管存在一个结电容，主要是由引线和壳体所形成的。

２．晶体三极管的直流输入电阻和交流输入（阻与工作点有关，Ｉb愈小，输入电阻愈小。３．晶体二极管的结电容和所加反向电压有关，电压愈高，结电容愈大。

４．晶体三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体（Ｎ型的或Ｐ型的）构成的，故ｅ极和ｃ极可以互换使用。

５．晶体三极管的集电极发射击极穿电压ＢVceo的值同工作温度有关，温度愈高，ＢVceo愈大。６．晶体三极管的直流输入电阻和交流或入电阻都和工作温度有关，温度升高，Ｒbe、ｒbe都增高。７．在整流电路中，一般采用点接触型晶体二极管。

８．晶体三极管的穿透电流人Iceo是由多数载流子产生的，其大小不随温度而变化。五、问答题：

１．半导体的主要特点是什么？它有几种类型？２．试述ＰＮ结的特性。