10.6.4 分析结果计算
a) 整个样品中Cr (VI) 的浓度(ppm)
－Cr (VI) 浓度= (A*D*F)/S; 其中
－ A = 测到的消解液浓度(μg/mL)－ D = 稀释因子
－ F = 最终的消解液的体积(mL)－ S = 样品的最初的质量(g)b) 相对百分偏差
－ RPD={│(S-D) │ / [(S+D)/2 ]} *100；其中
－ S= 最初样品结果（μg）
－ D= 重复样品结果（μg）c) 示踪物回收率
－示踪物百分回收率= {(SSR-SR)/SA} *100；其中
－ SSR = 添加示踪剂的样品的测试结果(μg)－ SR = 未加示踪剂的样品的测试结果(μg)－ SA = 示踪剂的质量(μg)
10.6.5 质量控制
每一批样品均须制备分析一空白样以用于确定有无污染物或其它有潜在影响因子的存在。
实验室控制样品：作每批（≤20个）样品中必须有一个作为附加的检验上述方法可行性的
对比样，可将示踪溶液(见10.4.3.m)或固体示踪剂PbCrO4 (见10.4.3.f)加入其50mL的消解液中(见10.4.3.g)。另外，如果条件允许也可使用认证的参考物。示踪物的回收率应在80%到120%的可接受范围内，否则应重复分析这些样品。
每批中必须有一个样品单独制备一复制样。复制样的相对百分偏差应≤20%。
每批（≤20个）样品中必须有一个作为可溶性或不溶性预消解被示踪样品的分析。对于可
溶性的被示踪样品，可加入1.0mL或两倍于样品浓度（两者取较大的）的示踪液（见10.4.3.l）。对于不溶性的被示踪样品，可加入1.0mL或两倍于样品浓度（两者取较大的）
的PbCrO4（见10.4.3.f)。被示踪样品用消解和比色测试程序进行处理操作。示踪剂的回收率
应在75-125%的可接受范围内，否则应再次分析这些样品。
校准曲线应至少包括一空白样和3个标准样，其校准系数应≥0.99, 否则应重新制作新的校准曲线。
每进行20个样品的测试都需要用标准样检验标准曲线的准确性。原始标准样和检验标准样的百分比误差应≤10%，否则应重新制作新的校准曲线。
如果样品的浓度高于校准曲线所适用的最高浓度值，可对样品进行稀释。
允许使用其它的消解或测试方法，如果该方法能满足上述质量控制要求，例如，操作基本
测量体系可用于Cr (VI) 的分析。
10.7 该方法的评价
由IEC TC111 WG3抽选的自愿实验室做出合适的数据后，该方法的精密度和准确度及其检测限将会及时更新。
11 利用CVAAS、AAS、ICP－AES和ICP-MS 测定聚合物、金属和电子元器件中的汞
11.1范围、应用及方法概述
本文提供了测定电子设备材料中Hg的过程。这些材料一般是聚合物材料、金属材料及电子元器件（印刷线路板、冷阴极荧光灯，Hg开关 ）。含Hg电池按照电池工业“标准分析方法”（文献6）进行处理。
这个标准描述了冷蒸气原子吸收分光光谱法（CVAAS）、原子吸收光谱法、电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP－AES）和电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)）等四个方法的使用及制备样品溶液的几个步骤。从中，专业人员可以选用最合适的分析方法。
适量样品进行低温研磨制备成均质状，然后在一定的温度和压力之下，将均质样品消解于浓酸溶液中。为了长期储存Hg，建议使用5.0%的硝酸加上0.05%的重铬酸钾。
最后，利用冷蒸气原子吸收分光光谱法（CVAAS）、原子吸收光谱法AAS、电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP－AES）和电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)立即分析溶液，从而确定溶液中的Hg元素。使用CVAAS时，在分析之前Hg被还原成元素的状态。
用于研究的样品在化学消解之前必须经过机械预处理。为满足正确分析的最低需要，本文给出了所能允许的最大颗粒尺寸及样品最小量。在经过消解处理后可能存在固相残留物。所以，应该使用不同的分析手段从而确保残留物中没有目标元素。这些残留物通过不同的化学方法被选择性的溶解并与测试的溶液样品结合。对于消解处理，这里强烈建议使用先进设备。此外，如果用户能确定一种更简单、更适用的方法，也可以使用之。任何偏离本文中报告的过程都应该被评估并加以证明。
实验室人员或者工程技术人员应该在制备过无机分析试样及独立从事过化学操作的人员的指导下使用本文中提到的步骤。
下列几点必须被考虑进去：
? 许多Hg的化合物都是有剧毒的，不能被吞入、吸入或者皮肤吸收。处理Hg的试剂时都
必须极其小心。因为实验室中存在Hg的危险，所以所有的实验室器具及样品收集工具都应该被放置与隔绝Hg的环境之下。
? 在进入仪器分析之前，所有的操作都应该在通风厨里进行。 ? 这种条件之下，应该有一个避免挥发的冷凝器。
? 使用微波炉时，必须严格按照供应商提供的指示进行操作。
11.2参考材料
a） 加利福尼亚环境保护局，标准操作规程（SOP）No.914.S，用于Hg测试的冷阴极荧光灯，
包括废物提取试验（WET）及溶出物毒性试验容许程序（TCLP），有毒物质控制校正 No.2，2004。
b） 电池工业（欧洲便携电池协会（EPBA），日本电池协会（BAJ）及国家电气制造者协会（NEMA），
c） 美国环保局SW－846方法3050B，土壤、淤泥及沉淀物的酸消解。
1998，对于使用AAS，ICP－AES及CV确定强碱Mn电池中Hg、Cd及Pb的标准分析方法。
d） 美国环保局SW－846方法3052，微波辅助酸消解硅基及有机物基体物质。
e） 美国环保局SW－846方法7000，Pb、Cd、Cr及Hg的系列测试方法。
f） 美国环保局SW－846方法6010B电感耦合等离子体原子发射光谱。
g） 美国环保局SW－846方法7471A，固体及半固体中的水银（Hg）（冷蒸气CV技术手册）。
h） 美国环保局SW－846方法7470A，废液中的水银（Hg）（冷蒸气CV技术手册）
i） 美国环保局SW－846方法7474，通过原子荧光光谱确定沉淀物及织物中的水银Hg。
j） BCR－680，BCR－681：塑料封装及封装材料中的合格参照材料；聚乙烯中As，Br，Cd，
Cl，Hg，Pb及S块体的查明。
11.3 术语及定义
本文中用到的关键术语的定义如下： a） CCFL（s）:冷阴极荧光灯 b） PWB（s）：印刷线路板
c） ICP－AES（－OES）电感耦合等离子体－原子发射光谱：利用高频等离子体原子化或者离子化的方法确定样品中目标元素的方法。测量激发原子或离子的能量。通过激发能量对应的
波长确定样品中存在的元素。
d） CVAAS，冷气相原子光谱：此技术基于对Hg蒸汽253.7nm辐射的吸收。在密闭系统中将Hg还原成原子态并且通入载流气体，Hg蒸汽穿过原子吸收光谱的光路中的一个小单元。被测量的吸收率（峰面积）是Hg浓度的函数
e） AFS，原子荧光光谱：此技术基于高能级的电磁辐射激发气相原子后产生的光发射。对溶液或者固体的分析需要被分析物在导热管、火焰或者石墨熔炉内相对较低的温度下溶解、气化或者原子化。空阴极灯或者激光产生一个共振激发，并将原子激发到高能级。单色器或者复合光管分散和探测原子荧光，这类似于原子发射光谱。
f） ICP-MS 电感耦合等离子体－质谱仪: 通过高频等离子体使样品离子化的方法确定样品所含的目标元素。用质谱仪测出产生的离子数量，并由目标元素的质/荷比来分析目标元素及其同位素。
g） 记忆效应：由于之前等离子体光谱仪或者相关装置中分析的样品中或者标准校准溶液中存在目标元素，而引起当前分析物的目标元素谱图信号的部分重叠的现象。
h） 校准标样：为了绘制标准曲线而有一定浓度的理论分析物的溶液。
i） 空白溶液：不含被分析物且其它成份与校准液相同的溶液。
j） 内标元素：将相同浓度的元素分别加入到标准校准溶液、空白校准溶液及样品溶液中，以便于校准非光谱信号干扰及多次使用分析仪器引起的灵敏度的改变。
k） 探测极限：对于原子谱线（ICP/AES(-OES)及AAS）或挑选出的质/荷比的强度（ICP/MS）或空白校正溶液被测量10次后的背景强度等，能够产生三倍标准偏差的浓度。
l） 质量控制：为了确保数据的可靠性，保证分析在明确的标准下精确执行的过程。
11.4 仪器/设备及材料
a） 刻度：精确到0.1mg
b） 热消解器：配有有导管、回流冷却装置和吸收容器（为了消解金属及电子材料）
c） 微波试样制备系统：装有样品固定器和高压聚四氟乙烯－四氟乙烯（PTFE－TFE）容器（为
了消解聚合物）
d） 电感耦合等离子体原子发射光谱仪：ICP－AES（－OES） e） 冷蒸汽原子吸收光谱仪：CVAAS
f） 电感耦合等离子体质谱仪：ICP－MS g） 原子荧光光谱仪：AFS
h） 耐氢氟酸的样品固定器：已被处理过的能耐氢氟酸的样品固定器（样品被插入此部分）
i） 氩气：纯度99.99％（体积比）的氩气 一般来说，玻璃器具的收集与存放是不依赖于分析样
IEC62321中文版检测方法
