集成中心光刻工艺技术-Semi - 图文

光刻机的四种压紧模式的比较soft contact胶厚>8um，图形最小尺寸>20um 对版便利，图形准确度要求不高hard contactlow-vacuum contact胶厚2-3um，图形最小尺寸--10um 最常用的一种模式vacuum contact胶厚<1.5umum，图形最小尺寸<5um 微细光刻，图形准确，易碎片子光刻工艺的质量要求及常见问题·图形完整、尺寸准确、边缘整齐、陡直Vac的压紧模式显影30秒常见问题1.过曝光（过显影）Vac的压紧模式过显影到60秒光刻工艺中的常见问题Vac的压紧模式显影30秒soft contact的压紧模式30秒显影常见问题2.掩模版没压紧原因：晶片上有颗粒，晶片本身平整度差，压紧方式不对3.光刻胶厚度与版图尺寸不匹配（一般情况，较厚不能大于最小线宽）Lift-off中的常见问题1.Lift-off 掉金层原因：有底膜片子不清洁，显影液太浓处理液没冲干净；金属粘附性不好Lift-off中的常见问题2.剥不下来烘胶温度不合适倒台形状不理想其他：胶厚与金属厚度不成比例蒸发温度过高