Aligner: Karl SussMA6/BA6德国Karl Suss公司MA6/BA6双面光刻机主要技术指标：基片双面对准(包括键合预对准)；基片尺寸：10′10mm2~F100mm及非标准尺寸基片；光源波长：435nm和365nm；套刻精度：<1um；光源均匀性：<5%四种曝光方式(软接触、硬接触、低真空，真空)显微镜目镜显微镜物镜对位左右调整承片台对位角度调整版架监视器控制面板去胶机Plasma Asher and Stripper????仪器名称：去胶机制造厂：PVA TePlaAG型号规格：Model 300 Plasma System主要技术指标：·2.45GHz·0-1000Watt·2-4 separate gas channel·process pressure：0.2-2mbar应用范围：·photo resist stripping·surface cleaning??目的：扫胶(asher);去胶(stripper); 处理表面asher的目的：去光刻胶底膜，提高腐蚀工艺的均匀性, 提高金属蒸发的粘附性扫胶条件：100W 30sec左右无屏蔽光刻的基本过程（以AZ6130为例）前处理预烘100C10min匀胶4000rps 胶厚1.4um前烘100C 5min坚膜100C10min显影浓度1:4 时间40sec对准曝光8sec胶厚大约2um，显影时间<1min视为较好的曝光显影时间的配合不同种类光刻胶工艺结果正性胶mask特点：分辨率高。本中心备有：AZ6130，S9912。resistpositive slope(a) exposure(b) development负性胶maskresistundercut(a) exposure(b) development不同种类光刻胶工艺反转胶mask集成中心备有AZ5200resistcross-linked(a) exposure(b) reversal bakeundercutundercut(c) flood-exposure(d) development比正胶稍繁琐，常用于高质量剥离，或者细小图形的光刻对版
集成中心光刻工艺技术-Semi - 图文
