CMP 材料项目可行性研究报告-2020
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编制单位：北京智博睿投资咨询有限公司
1、CMP 材料主要包括 CMP 抛光垫和 CMP 抛光液两类。CMP 的主要工作原理是在一定压力下及抛光液的存在下，由磨粒和化学氧化剂等 配成的抛光液在晶片与抛光垫之间流动，在工件表面产生化学反应，生成易于去除的氧化表面；再通过机械作用将氧化表面去除；最后，去除的产物被流动的抛 光液带走，露出新的表面，使被抛光的晶圆表面达到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求，是通过表面化学作用和机械研磨的技术结合来实现晶圆表面微米/纳米级不同材料的去除，从而达到晶圆表面的高度（纳米级）平坦化效应，使 下一步的光刻工艺得以进行。
CMP 工艺流程
CMP 材料用于化学机械抛光（又称化学机械平坦化，英文缩写 CMP），主要涉及抛光垫和研磨浆料两种化学消耗品材料：
（1）抛光垫（CMP pad）主要有聚合物抛光垫、无纺布抛光垫以及复合型抛光垫， 相对而言复合型抛光垫更具优势。加工过程中，抛光垫表面微凸起直接与晶片接触产生摩擦，以机械方式去除抛光层，在离心力的作用下，将抛光液均匀抛撒到抛光垫表面，以化学方式取出抛光层，并将反应产物带出抛光垫。
（2）抛光液（CMP slurry，或者研磨浆料）一般由超细固体粒
子研磨剂（如 Al2O3、 SiO2等）、表面活性剂、稳定剂、氧化剂构成。其将磨粒的机械研磨作用与氧化剂 的化学作用有机结合，可实现超精密无损表面加工，满足集成电路相关要求。
主要抛光垫种类、成分与特点
逻辑芯片的迭代升级带来 CMP 抛光材料增长机会：（1）14nm 以下逻辑芯片工艺 需 CMP 工艺次数超 20 步，使用的抛光液的种类也从 90nm 的 5、6 种增加至超 20 种，且用量也明显提高。（2）7nm 及以下逻辑芯片工艺需 CMP 抛光步骤或超 30 步，使用的抛光液种类或增加至 30 种。（3）存储芯片 3D NAND 较 2D NAND 需要的 CMP 抛光步骤数近乎翻倍。
抛光液成分及作用
CMP材料项目可行性研究报告-2020年最新版本
