第一章测试
1
【判断题】(10分)
电路如图所示,二极管采用硅管,电阻R=1kΩ,E=3V,用理想模型求UR的值等于3V
A. 对
B. 错
2
【判断题】(10分)
电路如图所示,二极管采用硅管,电阻R=1kΩ,E=3V,用理想模型求UR的值等于0V
A. 对
B. 错
3
【单选题】(10分)
电路如图所示,二极管采用硅管,电阻R=1kΩ,E=3V,硅管的正向导通电压可取0.7V,用恒压降模型求UR的值等于()V
A. 3
B. 0
C. 1
D. 2
4
【单选题】(10分)
电路如图所示,二极管VD1、VD2用恒压降模型,正向导通电压均为0.7V,假如输入端uA=3V,uB=0V,求uy=()V
A. 2.4
B. 2.3
C. 2.2
D. 2.1
5
【判断题】(10分)
稳压管的动态电阻愈大,稳压性能也就愈好
?
A. 对
B. 错
6
【判断题】(10分)
稳压管的正常工作区是反向区
A. 错
B. 对
7
【判断题】(10分)
二极管恒压降模型,是指二极管承受正向电压导通时,其管压降为恒定值,且不随电流而变化
A. 对
B. 错
8
【判断题】(10分)
扩散电容是PN结加正向电压时,多数载流子在扩散过程中引起电荷积累而产生的
A. 对
B. 错
智慧树知道网课《模拟电子技术基础(山东理工大学)》课后章节测试满分答案
第一章测试1【判断题】(10分)电路如图所示,二极管采用硅管,电阻R=1kΩ,E=3V,用理想模型求UR的值等于3VA.对B.错2【判断题】(10分)电路如图所示,二极管采用硅管,电阻R=1kΩ,E=3V,用理想
推荐度:
点击下载文档文档为doc格式