注意：答案请做在答题纸上，做在试卷上无效
东华理工大学2016年硕士生入学考试初试试题
科目代码： 815 ; 科目名称：《电子技术基础》；（ A 卷） 适用专业（领域）名称： 电路与系统、仪器仪表工程
一、选择题：（共10个选择项，每项3分，共30分）
1．在如图所示的电路中，当V＝6V时，测得I＝2mA，UD?0.7V。当V降至3V时，则I将为____。
A、小于1mA ， B、1mA， C、大于1mA，但小于2mA ， D、2mA
RIVVDUD
2．已知图中二极管的反向击穿电压为100V，在V＝10V时，测得I＝1μA 。当V增加到20V时，I将____。
A、为2μA 左右， B、小于1μA ， C、变化不大， D、远大于2μA
RIVVDUD10k?
3．随着温度的升高，在杂质半导体中，少数载流子的浓度____，而多数载流子的浓度____。
A、明显增大， B、明显减小， C、变化较小
4．N型半导体硅是在纯净硅中掺入____；P型半导体硅是在纯净硅中掺入____。 A、带负电的电子， B、带正电的离子， C、三价元素，如硼等 ， D、五价元素，如磷等
5．试判断图示各电路中交流反馈的极性和组态。填空： (1)．图________________所示电路为电压并联负反馈； (2)．图________________所示电路为电流并联负反馈； (3)．图________________所示电路为电压串联负反馈； (4)．图________________所示电路为电流串联负反馈。
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注意：答案请做在答题纸上，做在试卷上无效
R2R1R1uiARLR2( a )R2R1iououiR4ARLiouoR3( b )uiR5AR3RLR4uouiRARRLuo( c )( d )
二、计算题：（共14分）
已知图示电路中晶体管的β＝50，UBEQ＝0.6V。估算静态电流IBQ、ICQ和集电极、发射极对地静态电位UCQ、UEQ。
Rc12k?RbC1270k?uORe6.2k?VEE( 12V)+VCC(+12V)uI
三、计算题：（共14分）
电路中VD均可视为理想二极管，试判断它们是否导通，并求出UO的值。
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东华理工大学电子技术基础【815】考研真题试题2016年—2018年
