133- 6H-和 4H-SiC 功率 VDMOS 的比较与分析
张娟，柴常春，杨银堂，徐俊平
（西安电子科技大学 西安微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，
西安７１００７１）
摘要：采用二维器件模拟器ISE TCAD 7.0，对比研究了6H-SiC和4H-SiC VDMOS的基本特性。结果表明，在Vgs为8V时，4H-SiC VDMOS的漏极电流比6H-SiC高约1.5倍，证实了4H-SiC具有较高的体迁移率，且受准饱和效应的影响较小，因此比6H-SiC 器件具有更高的饱和电流密度，而两种器件的阈值电压基本相同，均为7V 左右。对器件开关时间和单位面积损耗的分析表明，4H-SiC比6H-SiC 更适合用于VDMOS 功率器件。此外，还研究了沟道长度对器件漏极饱和电流的影响，结果表明，随着沟道长度的减小，器件的漏极电流增大。
关键词：6H-碳化硅；4H-碳化硅；功率纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体
137- 智能LED节能照明系统的设计
赵玲a, 朱安庆b,
（大庆石油学院 a.计算机与信息技术学院；b.电子科学学院，黑龙江大庆１６３３１８）
摘要：介绍了一种新型智能LED 节能照明控制系统，给出了系统的硬件设计和软件流程。给出了被动式热释电红外探测器和可见光探测器探测的数据，并通过单片机处理后与国家标准设定的数值进行了对比。简述了输出调节信号、控制LED驱动电路和照明系统对室内亮度进行调节的过程。通过理论分析，提出了合理的稳压电源、连接方式、灯体结构的设计方法，解决LED的驱动电源、连接方式和散热三个问题。试安装一年结果表明，照明效果稳定，节能超过50％，效果明显。 关键词：智能；发光二极管；节能；照明
141- InP基谐振隧穿二极管的研究
李亚丽，张雄文，冯震，周瑞，张志国
（中国电子科技集团公司 第十三研究所，专用集成电路国家级重点实验室，石家庄050051）
摘要：谐振隧穿二极管（RTD）具有高频、低功耗、负阻、双稳态、自锁等优点，在超高速数字电路领域具有非常好的应用前景。加之InP材料固有的优越特性，使得InP 基谐振隧穿器件成为目前研究的重
点。研究并试制了InP基RTD 实验样品，对其直流特性进行了测试分析，器件的最大电流峰谷比（PVCR）达到了17.8。
关键词：谐振隧穿二极管；电流峰谷比；铟磷基外延材料
144- 氧化硅在改善双极型晶体管特性上的作用
王友彬，汪辉
（上海交通大学 微电子学院，２０００３０）
摘要：提出了一种改善npn 和横向pnp 晶体管放大倍数、扩散致窄电阻（受EB 和CB 结结深影响的基区电阻）阻值而又不影响其他器件特性的方法。不连续的SiOx可以作为宽禁带半导体材料加在多晶硅和单晶硅的界面处来提高横向pnp 晶体管的放大倍数，使其从目前的23 提高到30；连续的SiOx 作为优秀的绝缘材料覆盖在发射极多晶硅表面，可以确保As 在快速热处理后的分布，结果表明npn 型晶体管的放大倍数从170 降低到110 的同时增加了扩散致窄电阻的阻值。这种方法的优点在于利用了极易制造的SiOx 改善了半导体器件特性，具有极高的实际应用价值。
关键词：氧化硅，双极型晶体管，放大倍数
工艺技术与材料
147- 低温退火制备Ti/4H-SiC 欧姆接触
陈素华，王海波，赵亮，马继开
（大连理工大学 电信学院电子系，辽宁大连１１６０２３）
摘要：实现SiC 器件欧姆接触常规工艺需要800～1200℃的高温退火。研究了n型4H-SiC 低温制备Ti 欧姆电极的工艺及其基本电学特性。通过氢等离子体处理4H-SiC的表面，沉积Ti 后可直接形成欧姆接触，室温下比接触电阻率ρc 为2.25×10-3Ω·cm2（ρc 由圆形传输线模型CTLM测得），随着合金温度的升高，其欧姆特性逐渐增强，400℃合金后获得最低的比接触电阻率ρｃ 为2.07×10-4Ω·cm2。采用X 射线衍射（XRD）确定金属／n-SiC 界面反应时形成的相，以分析电学性质与微观结构间的联系。最后讨论了低温欧姆接触的形成机制。 关键词：碳化硅；氢等离子体；欧姆接触；比接触电阻率
151- 精密掩模清洗及保护膜安装工艺
赵延峰
（无锡华润微电子有限公司 掩模工厂，无锡 ２１４０６１）
摘要：光刻工艺及其成品率对掩模洁净度要求极高。通过一系列研究分析，找到了传统掩模清洗工艺的一些缺点和局限性，借鉴和参考了传统掩模清洗工艺，克服了其局限性。基于精密掩模对加工质量的高要求，安装了保护膜并改进了精密掩模清洗工艺，通过试验形成了最终工艺。新清洗工艺的开发满足了0.5 μm掩模加工洁净度要求。 关键词：掩模；清洗工艺；保护膜
封装、测试与设备
155- 测量计算金属-半导体接触电阻率的方法
李鸿渐，石瑛
（武汉大学 物理技术与科学学院，武汉 ４３００７２ ）
摘要：如何测量、计算得到精确接触电阻值已凸显重要。介绍了多种测量计算金属-半导体欧姆接触电阻率的模型和方法，如矩形传输线模型、圆点传输线模型、多圆环传输线模型等，对各方法的利弊进行了讨论，并结合最新的研究进展进行了评述和归纳。综合多种因素考虑，认为圆点传输线模型是一种较好的测量金属半导体接触电阻率的方法。
关键词：金属半导体接触；接触电阻率；传输线模型
160- 热超声倒装过程中的建模和多参量仿真
李丽敏，吴运新，隆志力
（中南大学 机电工程学院，长沙４１００８３）
摘要：热超声键合是一个极其复杂的瞬态过程，利用常规手段不易了解此局部区域内的瞬态特性。针对这个问题，基于MSC．Marc大型非线性有限元分析软件建立了热超声倒装的几何模型，利用其强大的非线性分析能力对热声倒装进行了热力耦合有限元分析，得出了不同摩擦状况对正应力和切应力的分布及大小的影响，金凸点的塑性应变在键合界面上的分布及演变规律，切向位移加载前后键合界面所受正应力和切应力的大小及分布的变化情况，仿真结果对热超声倒装芯片连接工艺的理论研究有着重要的参考价值。
关键词：电子封装;热超声倒装;有限元分析;热力耦合;多参量仿真
集成电路设计与开发
164- 微波宽带单片集成电路二分频器的设计与实现
陈凤霞1，默立冬1, 吴思汉2
(1. 中国电子科技集团公司 第十三研究所，石家庄 050051；2.国防科技信息研究中心,
北京 100028）
摘要：采用D 触发器进行分频，设计了基于主从D 触发器的1:2 分频器，该分频器主要由输入缓冲电路、分频器内核、输出缓冲电路和电流偏置电源四个模块组成。HBT 工艺具有速度快、相位噪声低的优点，采用HBT 工艺，成功地设计了输入频率范围为50MHz～7GHz的静态二分频器。测试结果表明，该分频器在输入频率为3.7 GHz，输入-20 dBm功率时，输出功率4 dBm；电源电压5 V，工作电流85 mA，芯片尺寸为0.85 mm×0.85 mm。
关键词：二分频器; 异质结双极晶体管; 锁存器; D 触发器; 阻抗匹
167-基于分组网络结构NOC 的蚁群路由算法
陈青a，郝跃b，蔡觉平b
（西安电子科技大学 a.通信工程学院；b.微电子学院，西安 ７１００７１）
摘要：单个芯片集成度的增大增加了全局同步设计的困难，于是出现了片上网络NOC 的概念，其设计的核心是将计算机网络技术移植到芯片设计中来，因此需要利用某种路由算法来实现好的服务质量。通过对NOC网络通信的分析，基于蚁群算法提出了一种路由算法，利用4×4 Mesh 结构，通过对同一约束不同请求和不同约束同一请求等实验研究，证明其在NOC 路由应用中能在较短的时间内完成指定的任务，最后预测了该算法在大规模路由应用上的发展。 关键词：蚁群算法；片上网络；路由
171- 基于ARM + FPGA的大屏幕显示器控制系统设计
陈炳权1,2
（1.吉首大学 物理科学与信息工程学院，湖南 吉首４１６０００；
2.湖南大学 电气与信息工程学院，长沙 ４１００８２）
摘要：目前各种LED 显示器常采用8位/16位的微处理器，由于其运行速度、寻址能力和功耗等问题，已难满足显示区域较大、显示内容
切换频繁的相对较复杂的应用场合。采用32位 ARM 嵌入式微处理器S3C4510B和32位FPGA 扫描驱动电路芯片PolarPro QL1P300，选用IS61C1024静态RAM 作为缓存器，组成由多块大屏幕LED 显示器构成了新的显示系统。该系统在不增加成本的情况下，可支持更大可视区域的稳定显示，存储更多显示内容。
关键词：32 位ARM 微处理器；发光二极管显示系统；现场可编程门阵列；静态随机存储器
176- 新型异步树型仲裁器设计
徐阳扬，周端，杨银堂，弥晓华
（西安电子科技大学 微电子学院 西安７１００７１）
摘要：树型仲裁器是异步电路中常用的电路，它的性能和鲁棒性对整个系统有很大的影响。针对以往树型仲裁器在设计和应用方面存在的问题，设计并实现了一种新型异步树型仲裁器，提高了异步树型仲裁器的鲁棒性。该仲裁器采用了插入差分电路和隔断两级逻辑电路的方法，避免了毛刺的出现。通过重新设计C 单元，避免了现有树型仲裁器的死锁问题。在CSMC 0.5μm CMOS 工艺下，该仲裁器的最短数据传输时间为4.37 ns，电路平均功耗为50.815 nW。 关键词：树型仲裁器；异步；C 单元
179- 一种用于高速ADC的采样保持电路的设计
林佳明，戴庆元，谢詹奇，倪丹
（上海交通大学 微纳科学技术研究院，上海 ２０００３０）
摘要：设计了一个用于流水线模数转换器（pipelined ADC）前端的采样保持电路。该电路采用电容翻转型结构，并设计了一个增益达到100 dB，单位增益带宽为1 GHz 的全差分增益自举跨导运算放大器（OTA）。利用TSMC 0.25μm CMOS 工艺，在2.5 V 的电源电压下，它可以在4 ns内稳定在最终值的0.05％内。通过仿真优化，该采样保持电路可用于10 位，100MS/s 的流水线ADC 中。
关键词：采样保持电路；增益自举跨导运算放大器；流水线模数转换器
高k材料用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层下
